NOR型flash与NAND型flash的区别

1) 闪存芯片读写的基本单位不同 

NOR   以“字”为最小操作单位；
NAND 以“块”为最小操作单位； 

应用程序对NOR芯片操作以 “字”为基本单位。为了方便对大容量NOR闪存的管理，通常将NOR闪存分成大小为128KB或者64KB的逻辑块，有时候块内还分成扇区。读写时需要同时指定逻辑块号和块内偏移。应用程序对NAND芯片操作是以 “块”为基本单位。NAND闪存的块比较小，一般是8KB，然后每块又分成页，页的大小一般是512字节。要修改NAND芯片中一个字节，必须重写整个数据块。 

 

 2）NOR闪存是随机存储介质，用于数据量较小的场合；NAND闪存是连续存储介质，适合存放大的数据。 

 

 3) NOR的地址线和数据线分开的（如A0~A21，D0~D15），不同的容量或位宽，数据和地址位也不一样；
     NAND的地址和数据合在一起，15根信号线搞定：D0~D7+7根控制线；

由于NOR地址线和数据线分开，所以NOR芯片可以像SRAM一样连在数据线上。NOR芯片的使用也类似于通常的内存芯片，它的传输效率很高，可执行程序可以在芯片内执行( XI P, eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码 读到系统RAM中。由于NOR的这个特点， 嵌入式系统中经常将NOR芯片做启动芯片使用。而NAND共用地址和数据总线，需要额外联结一些控制的输入输出，所以