芯片系统分级-模电基础

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（1）系统级

以手机为例，整个手机是一个复杂的电路系统，它可以玩游戏、可以打电话、可以听音乐。它的内部结构是由多个半导体芯片以及电阻、电感、电容相互连接组成的，称为系统级。（当然，随着技术的发展，将一整个系统做在一个芯片上的技术也已经出现多年——SoC技术）

（2）模块级

在整个系统中分为很多功能模块各司其职。有的管理电源，有的负责通信，有的负责显示，有的负责发声，有的负责统领全局的计算，等等。我们称为模块级。这里面每一个模块都是一个宏大的领域，都聚集着无数人类智慧的结晶，也养活了很多公司。

3）寄存器传输级（RTL）

那么每个模块都是由什么组成的呢？以占整个系统较大比例的数字电路模块（它专门负责进行逻辑运算，处理的电信号都是离散的0和1）为例。它是由寄存器和组合逻辑电路组成的。

寄存器是一个能够暂时存储逻辑值的电路结构，它需要一个时钟信号来控制逻辑值存储的时间长短。

实际应用中，我们需要时钟来衡量时间长短，电路中也需要时钟信号来统筹安排。时钟信号是一个周期稳定的矩形波。现实中秒钟动一下是我们的一个基本时间尺度，电路中矩形波震荡一个周期是它们世界的一个时间尺度。电路元件们根据这个时间尺度相应地做出动作，履行义务。

什么是组合逻辑呢，就是由很多“与（AND）、或（OR）、非（NOT）”逻辑门构成的组合。比如两个串联的灯泡，各带一个开关，只有两个开关都打开，灯才会亮，这叫做与逻辑。

一个复杂的功能模块正是由这许许多多的寄存器和组合逻辑组成的。把这一层级叫做寄存器传输级。

（4）门级

寄存器传输级中的寄存器其实也是由与或非逻辑构成的，把它再细分为与、或、非逻辑，便到达了门级（它们就像一扇扇门一样，阻挡/允许电信号的进出，因而得名）。

（5）晶体管级

无论是数字电路还是模拟电路，到最底层都是晶体管级了。所有的逻辑门（与、或、非、与非、或非、异或、同或等等）都是由一个个晶体管构成的。因此集成电路从宏观到微观，达到最底层，满眼望去其实全是晶体管以及连接它们的导线。

双极性晶体管（BJT）在早期的时候用的比较多，俗称三极管。它连上电阻、电源、电容，本身就具有放大信号的作用。像堆积木一样，可以用它构成各种各样的电路，比如开关、电压/电流源电路、上面提到的逻辑门电路、滤波器、比较器、加法器甚至积分器等等。由BJT构建的电路我们称为TTL（Transistor-TransistorLogic）电路。

但是后来金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的出现，以优良的电学特性、超低的功耗横扫IC领域。除了模拟电路中BJT还有身影外，基本上现在的集成电路都是由MOS管组成的了。同样的，由它也可以搭起来成千上万种电路。而且它本身也可以经过适当连接用来作电阻、电容等基本电路元件。

 

模电基础：

以PN结为基础，一个结的二极管；或两个结组合成，晶体管BJT、场效应管。

1、PN结

半导体：纯净单晶体本征半导体硅/锗(Si/Ge)、

杂质半导体：加入五价磷元素的N型半导体、加入三价硼的P型半导体。

半导体掺入杂质后，导电性能更强。自由电子越多，导电性能越强。

2、二极管

PN节封装起来，加上电极引线，即为二极管。

类似电池，PN节内部电流方向与外部电流方向相反？？

 

3、三极管（双极性晶体管BJT bipolar junction transistor）

在一块硅片上掺杂出3个不同区域，形成2个PN节。即为晶体管。

有两种载流子（自由电子、空穴）参与导电，称为双极型晶体管，半导体三极管。

emitter；base；collector

1个晶体管相当于2个PN节背靠背连接，但不能按照PN节电路分析。

主要参数：

Ⅰ、放大倍数。直流放大倍数（静态）；交流放大倍数（动态Δi）。

Ⅱ、穿透电流，基极开路时集发之间的电流。

Ⅲ、饱和电流，发射极开路时集电极的反向饱和电流。

Ⅳ、最高温度，硅150°，锗70°。

Ⅴ、击穿电压。第三极开路时，其他两极间允许的最大反向电压

Ⅵ、

Ⅶ、

一个视频让你看懂三极管的工作原理_哔哩哔哩 (゜-゜)つロ 干杯~-bilibili  

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晶体管的输入输出特性：

输出特性曲线解释：对于每个确定的基极直流电流都有一条输出曲线。对于某一条，当从零逐渐增大时，集电PN结电场随之增大，收集基区非平衡少子能力随之增强，因而增大。当增大到一定数值时，集电PN结收集了绝大部分基区非平衡少子，曲线将不再上升，而保持平行于横轴。

Ⅰ、截止区：发射PN结正向电压，小于0.7V不够导通，；集电PN结反向偏置，不导通，。

Ⅱ、放大区：发射PN结正向电压，且足够大0.7V导通；集电PN结反向偏置，且大于发射结电压。按放大倍数控制。

Ⅲ、饱和区：发射PN结正向电压，且足够大0.7V导通；集电PN结同样正向偏置。，即发射极电压等于集电极电压。增大，增大，不变化了，临界饱和。

 

4、场效应管 FET field effect transistor 单极性晶体管

只有多数载流子导电，故称单极型晶体管。结型场效应管JFET与MOS管的导电原理和电流控制原理均不同。

结型场效应管JFET junctionFET。分为p-MOS ：p沟道MOSFET，和n-MOS：n沟道MOSFET

g栅极（Gate）、d漏极（Drain）、s源极（Source）三个电极。其主要的工作原理，就是通过在栅源gs之间电压的改变，控制漏源ds之间的电流变化；这与三极管，用基极电流控制集电极电流（Ic）是不同的。优点在于，提供电压控制比电流控制更容易实现。由于MOS管都具有三个电极，因此，它们的顺序自然可以任意排列，但使用时，一定要注意栅极G不要搞错了，接了错误的电压，容易到导致栅下氧化层被击穿，导致器件损坏。

MOSFET 绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor金属氧化物半导体场效应晶体管）  用于集成电路。

绝缘栅：GSD之间都用二氧化硅SiO2绝缘。

 N沟道增强熨MOS管结构示意图如图1.4.7(a)所示。它以一块低掺杂的P型硅片为衬底.利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区，并引出两个电极，分别为源极s和漏极d,半导体上制作一层Si()2绝缘层，再在SiO2之上制作一层金属铝，引出电极，作为栅极g。通常将衬底与源极接在一起使用。这样，栅极和衬底各相当于一个极板，中间是绝缘层，形成电容。当栅-源电压变化时，将改变衬底靠近绝缘层处感应电荷的多少，从而控制漏极电流的大小。可见，MOSFET与JFET导电机理与电流控制的原理均不相同。

在图中栅极的长度（length）L，是指源极和漏极的距离。宽度（width）是指晶体管的范围，在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制最高频率约为5GHz，0.2微米则是约30GHz。

这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个外加的电压影响，电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅极、漏极、源极所在的半导体的块体。如果受一个外加的电压影响，电子流将从源极流向漏极。body体很简单的就是指栅极、漏极、源极所在的半导体的块体。

CMOS：complementary MOSFET

 

 

 

 

 

 

 

雪崩电流

unclamped inductive switching UIS实验：

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

CMOS功耗更低（complementary MOS）

 

5、单节晶体管和晶闸管

1个PN节构成的具有负阻特性——单节晶体管，unijunction transistor

3个PN节构成的大功率可控整流——晶闸管，

 

 

6、集成电路中的元件

 

 

 

7、电力电子器件

电力电子器件时电力电子电路的基础，数电模电基础是晶体管。

由于电力电子器件直接用于处理电能的主电路，因而同处理信息的电子器件相比，一般具有如下的特征：
  1）  电力电子器件所能处理电功率的大小，也就是其承受电压和电流的能力，是其最重要的参数。其处理电功率的能力小至毫瓦级，大至兆瓦级，一般都远大于处理信息的电子器件。
  2）  因为处理的电功率较大，所以为了减小本身的损耗，提髙效率，电力电子器件一般都工作在开关状态。导通时（通态）阻抗很小，接近于短路，管压降接近于零，而电流由外电路决定；阻断时（断态）阻抗很大，接近于断路，电流几乎为零，而管子两端电压由外电路决定；就像普通晶体管的饱和与截止状态一样。因而，电力电子器件的动态特性（也就是开关特性）和参数，也是电力电子器件特性很重要的方面，有些时候甚至上升为第一位的重要问题。而在模拟电子电路中，电子器件一般都工作在线性放大状态，数字电子电路中的电子器件虽然一般也工作在开关状态，但其目的是利用开关状态表示不同的信息。正因为如此，也常常将一个电力电子器件或者外特性像一个开关的几个电力电子器件的组合称为电力电子开关，或称电力半导体开关。作电路分析时，为简单起见也往往用理想开关来代替。广义上讲，电力电子开关有时候也指由电力电子器件组成的在电力系统中起开关作用的电气装置，这在第4章中将有适当的介绍。
 3） 电力电子器件由，信息电子电路控制，但两个电路功率相差较大，中间需要加入驱动电路放大。 
4） 损耗较大。

按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，可以将电力电子器件分为以下三类：
  1）  通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断的电力电子器件被祢为半控型器件，这类器件主要是指晶闸管（Thyristor）及其大部分派生器件，器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。
  2） 通过控制信号既可以控制其导通，又可以控制其关断的电力电子器件被称为全控型器件，由于与半控型器件相比，可以由控制信号控制其关断，因此又称为自关断器件。这类器件品种很多，目前最常用的是绝缘栅双极晶体管（Insulated-Gate Bipolar Transistor-IGBT）和电力场效应晶体管（Power MOSFET,简称为电力MOSFET）,在处理兆瓦级大功率电能的场合，门极可关断晶闸管（Gate-Off Thyristor——GTO）应用也较多。
  3）  也有不能用控制信号来控制其通断的电力电子器件，因此也就不需要驱动电路，这就是电力二极管（PowerDiode）,又被称为不可控器件。这种器件只有两个端子，其基本特性与信息电子电路中的二极管一样，器件的导通和关断完全是由其在主电路中承受的电压和电流决定的。

  按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质，又可以将电力电子器件（电力二极管除外）分为电流驱动型和电压驱动型两类。如果是通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制，这类电力电子器件被称为电流驱动型电力电子器件，或者电流控制型电力电子器件。如果是仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制，这类电力电子器件则被称为电压驱动型电力电子器件，或者电压控制型电力电子器件。由于电压驱动型器件实际上是通过加在控制端上的电压在器件的两个主电路端子之间产生可控的电场来改变流过器件的电流大小和通断状态的，所以电压驱动型器件又被称为场控器件，或者场效应器件。单极型器件和复合型器件基本都是电压驱动型器件.而双极型器件中除SITH为电压驱动型外，其余均为电流驱动型器件。电压驱动型器件的共同特点是：输人阻抗高，所需驱动功率小，驱动电路简单，工作频率高。电流驱动型器件的共同特点是:具有电导调制效应，因而通态压降低，导通损耗小，但工作频率较低，所需驱动功率大驱动电路也比较复杂。
  此外，同处理信息的电子器件类似，电力电子器件还可以按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分为单极型器件、双极型器件和复合型器件三类。由一种载流子参与导电的器件称为单极型器件；由电子和空穴两种载流子参与导电的器件称为双极型器件；由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件则被称为复合型器件，也称混合型器件。

 

器件比较与选型

比较三种基本半导体器件性能、参数；

读懂放大器的数据手册，有哪些参数，意义；

双极性晶体管NPN内部模型：

偏置电压和基极电流

不同器件组成的放大器内部对比：

参数对比：

rail-to-rai：

offset：

 

固有漂移：

噪声对比：

抑制零点漂移的放大器对比：

1、置零：利用反馈；

2、斩波器：

斩波器原理：

 

输入级的“back-to-back”二极管是否需要：

“back-to-back”二极管原理：

 

输出级比较，经典接法VS轨对轨

 

开环阻抗比较：

带宽比较：

工艺结构，节点隔离方法

 

 

 

电力电子简介

• 电力电子学概论 - 概述
• 电力电子学概论 - 电源组件简介
• 电力电子学概论 - 电源拓扑简介
• 电力电子学概论 - 功率控制理论导论

电源的元件——电感：

电源的元件——电容：

电源的元件——二极管：

电源的元件——MOSFET：

电源的几种拓扑：交交/直直/交直/直交

LDO（low dropout regulator）线性稳压器。

6W的开关电源和2.5W的LDO，面积对比：

LDO元件需要散热，原因？？？？

 

Buck降压电路：

Boost升压电路：

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

参考文献：

1、模拟电子技术基础，第一章常用半导体器件

2、数字电子技术基础，第二章门电路

3、半导体物理学 （第七版）

4、《CMOS数字集成电路：分析与设计  第3版》

5、《电力电子技术》王兆安

6、理解MOSFET数据手册中的雪崩能量等级 - 读懂MOSFET数据手册 - http://edu.21ic.com/m/video/1873.html

7、运算放大器技术概述 - 运算放大器技术概述  http://edu.21ic.com/m/video/3158.html

8、电力电子学概论   http://edu.21ic.com/m/video/3057.html

9、场效应管- 维基百科- 百度文库  https://wenku.baidu.com/view/1ae569def605cc1755270722192e453610665b04.html

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