半导体芯片生产制造工艺和生产设备全解析:从晶源到一颗芯片的旅程

在说生产工艺之前,我们先说下芯片里面的最小结构(举例子哈)

完整版请参考视频: https://www.bilibili.com/video/BV1RDKweMEAP/?vd_source=0fe44b59f009ec279f1191988a29b5d3

最小的一颗MOS管长这样,芯片里面大部分都是这种晶体管

关于MOS的工作原理请参考文章: https://zhuanlan.zhihu.com/p/22800303725

整个芯片里面有成千上亿个类似的晶体管组成,就像搭积木一样,

看到没,他有好多层,所以我们将这个制造过程就类比于盖楼一样.

好,我们现在一边看图,一边看这个积木是怎搭起来的

文章分两部分,这次讲第一部分:芯片生产制造工艺

下一次讲制造生产的设备,比如大家熟知的光刻机之类的,在里面起到什么作用

这篇是基础,你只有知道流程,才知道为啥要用那个设备

制造流程：

• 准备硅晶圆：将石英岩提炼成纯硅，生长出单晶锭，再切割成约 3/4 毫米厚的 300 毫米晶圆，晶圆侧面有条形码，有小凹口指示晶格方向。
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• 制作掩模层相关步骤：
  • 在晶圆顶部沉积一层绝缘二氧化硅。
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  • 在晶圆表面涂上感光光刻胶。
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  • 进行软烘烤，加热晶圆以蒸发光刻胶中的溶剂。
  • 晶圆进入光刻工具，通过模板（光掩模）照射紫外线，光线穿过模板缩小后在晶圆上产生纳米级图案，使光刻胶变弱。
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  • 晶圆进入显影器，冲洗掉变弱的光刻胶，留下图案化的纳米级模板。
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  • 进行硬烘烤，使剩余的光刻胶变硬，形成掩模层。
• 蚀刻步骤：晶圆进入蚀刻工具（如等离子蚀刻机），使用腐蚀性化学物质或高能等离子体与晶圆表面反应，去除掩模层暴露的材料，形成孔。
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• 去除掩模层：晶圆被送到光刻胶剥离器，使用溶剂去除光刻胶掩模层。
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• 沉积材料步骤：晶圆进入物理蒸汽沉积工具，填充金属（如铜）等材料到暴露的图案，并在晶圆上涂上金属。
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• 化学机械平坦化：晶圆被送往化学机械平面化工具（CMP），施加浆料并使用研磨垫研磨和抛光晶圆顶面，使其平坦，形成平坦的绝缘二氧化硅和导电铜互连层。
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• 重复循环：完成单个金属层后，准备开始下一个循环，添加绝缘二氧化硅，重复上述步骤构建多层。
• 如图所示(这张图就是流程工艺图啊,每一层基本上都是这个流程的循环,除了第一层)
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• 细心的小伙伴会发现,是不是上面有些流程步骤我没讲啊 ,
• 对的 ,因为那些步骤主要用做在建立第一层的时候用的,相当于打地基的时候采用,比如离子注入ion implation之类的,因为只有对P半导体或者N半导体才做这些例子注入和掺杂,如下图所示,他们单单是金属,还有半导体,所以我们单独拎出来讲啊
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• ---------------------我是分割线------------------
• 芯片第一层(类似于建造楼层的打地基的工艺工序)
• 晶体管制造：使用离子注入机，用磷、硼或其他元素轰击未掩蔽的区域，制造形成晶体管所需的 p 区和 N 区，此过程会损坏硅晶格，需用分析仪加热晶圆修复。
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• 清洁步骤：使用晶圆清洗机，用超纯水清洁晶圆，然后用氮气或热异丙醇干燥，以去除污染物和颗粒。
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• 检查步骤：使用计量工具（如具有纳米级分辨率的扫描电子显微镜）拍摄晶圆顶面照片，检查晶体管和金属层是否存在缺陷。
• 芯片测试与分类：完成的晶圆送到单独建筑，每个 CPU 经过严格测试，根据测试结果对半功能电路进行分类或合并。
• 切割与安装：将晶圆运送至另一栋建筑，用激光切割芯片，翻转放置在插入器上，将连接点分配到印刷电路板，放置保护性导热盖，安装集成散热器。
• 最终测试与包装：对整个组件进行测试，然后包装出售，CPU 可安装到主板和台式计算机中。

好了,关于工艺我们就先说到这,下一篇我们说说生产线和生产用的设备

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