一文看懂半导体MOSFET，IGBT平面和沟槽 IGBT 结构，英飞凌infineon coolmos的优势

最新推荐文章于 2025-02-13 17:03:10 发布

半导体老登

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许多同学看到两个术语时，可能会误以为平面型 IGBT 的电流是水平流动的，而沟槽栅型 IGBT 的电流是垂直流动的。

事实上，这是一种误解。无论是平面型还是沟槽型 IGBT，电流都是垂直流动的。

我们所熟知的所有电力电子器件，如 IGBT、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、晶闸管以及功率二极管，为满足耐压要求，电流都是垂直流动的。

具体到 IGBT 而言，空穴电流从背面的集电极流向正面的发射极（红色）；电子电流从发射极出发，穿过表面反型沟道，流向背面的集电极（蓝色），如图 1 所示。

详情可参考b站视频解释：一个视频弄明白IGBT如何工作的_哔哩哔哩_bilibili

我们知道，与平面型 IGBT 相比，沟槽栅型 IGBT 能够在不增加关断损耗的情况下显著降低通态压降。那么，沟槽栅是如何做到这一点的呢？

它有三个 “诀窍”：消除结型场效应晶体管（JFET）效应、提高沟道密度以及增加近表面载流子浓度。具体分析如下：

消除 JFET 效应
- 在平面型 IGBT 中，源极和漏极之间的区域存在 JFET 结构。当 IGBT 导通时，JFET 区域会产生一定的电阻，从而增加通态压降。
- 而沟槽栅型 IGBT 通过将栅极放入沟槽内，改变了电流路径，使得电流不再经过会产生 JFET 效应的区域，从而消除了 JFET 效应带来的电阻增加，有效降低了通态压降。
增加沟道密度
- 平面型 IGBT 的沟道位于芯片表面的平面区域，在相同的芯片面积下，沟道数量相对有限。
- 沟槽栅型 IGBT 利用垂直的沟槽结构，在相同的芯片面积内可以形成更多的沟道。更多的沟道意味着在导通时能够允许更多的电流通过，相当于降低了单位面积的电阻，进而降低了通态压降。
增加近表面载流子浓度
- 沟槽栅的结构特点使得在栅极附近的电场分布发生变化，这种变化有利于在近表面区域积累更多的载流子。
- 近表面载流子浓度的增加，使得在导通时电流更容易通过，减少了载流子传输过程中的阻碍，从而降低了通态压降。同时，由于这种载流子浓度的增加是在特定区域内的优化，所以不会对关断过程产生不利影响，也就不会增加关断损耗

在平面栅 IGBT 中，正向导通期间，P 阱和 n 型漂移区之间形成的 PN 结处于轻微的反向偏置状态。（下图表示的1，绿色箭头，形成耗尽层，耗尽层越大，留给电流通过的空间就越小）这会导致形成一个具有一定宽度的空间电荷区，该区域占据了一定的空间（也就是JFET区域）。因此，电流只能在相对狭窄的空间内流动，从而增加了沿电流路径的阻抗。

因此，在平面栅 IGBT 中，在电子流动方向上，存在沟道电阻\(R_{channel}\)、结型场效应晶体管电阻\(R_{JFET}\)和漂移区电阻\(R_{n-}\)。另一方面，在沟槽栅 IGBT 中，垂直的沟槽结构消除了 JFET 区域，从而使沿电流路径的总阻抗更低。

下面是传统导电通路上的电阻，和沟槽通路上的电阻比较

近表面载流子浓度增加

在平面栅 IGBT 中，载流子浓度从集电极到发射极是逐渐降低的。而新一代 IGBT 的设计目标是让载流子浓度在集电极和发射极之间保持均匀分布，若能实现逐渐增加则更为理想。这样做的好处是可以在不影响尾电流和关断损耗的情况下，进一步降低导通损耗。
从不同结构 IGBT 漂移区的载流子浓度分布情况来看，在发射极区域附近，沟槽栅 IGBT 的载流子浓度要比平面栅 IGBT 高得多。这是因为沟槽栅 IGBT 独特的结构特点使其在近表面区域能够积累更多的载流子。
对于沟槽栅 IGBT 而言，通过合理设计沟槽的宽度和间距，就能够增加 N - 区域近表面层的载流子浓度。载流子浓度的增加意味着在该区域内参与导电的粒子增多，电流通过时的阻碍就会减小，从而有效降低了漂移区电阻\(R_{n-}\)。这对于提高 IGBT 的性能，降低导通时的功率损耗具有重要意义。

沟道密度增加

相较于平面栅绝缘栅双极型晶体管（IGBT），沟槽型 IGBT 的垂直结构省去了在硅片表面制作导电沟道所需的区域，这使得单元设计能够更加紧凑。

这意味着在相同的芯片面积内可以制造更多的 IGBT 单元，从而形成更宽的导电沟道，降低沟道电阻。

尽管沟槽型 IGBT 发展迅速，但平面栅 IGBT 仍有其存在的价值。先行采用平面栅技术的企业并未被淘汰，因为沟槽型 IGBT 仍面临一些有待克服的挑战。

挖掘光滑的沟槽壁技术难度较大。

典型的沟槽栅 IGBT 的沟槽宽度仅为 1 - 2 微米，而深度却必须达到 4 - 5 微米，甚至更深。沟槽是通过酸蚀的方式刻蚀到硅片表面的，要精确控制沟槽的宽度和深度极其困难。此外，沟槽壁必须尽可能光滑且无缺陷，因为表面不平整会影响击穿电压并降低良品率。沟槽底部的拐角也必须非常光滑，否则电场会在该点集中，严重影响耐压能力。由此可见，沟槽型 IGBT 技术比平面栅 IGBT 技术难度大得多。

更宽的导电沟道会在 IGBT 短路时增大电流。

如前所述，沟槽型 IGBT 的高沟道密度降低了沟道电阻，但其相应的缺点之一就是短路电流会增加。在最坏的情况下，短路电流可能大到在极短时间内就损坏 IGBT。为使 IGBT 能够在特定测试条件下承受长达 10 微秒的短路，需要非常精心地设计沟道宽度和相邻单元，例如，通过增加单元间的距离来减少单个芯片上有效单元的数量。另一种方法是不将所有栅极连接到公共栅极，而是将一些单元的栅极与其发射极短路。这种技术被称为插入合并单元技术。通过这种方法，可以降低沟道密度，从而减小短路电流并增强器件的短路承受能力。

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