一文弄清半导体结构平面MOS,DMOSFEt,VMOS,finFET,GaaFET(2/2)

半导体老登

已于 2025-02-13 17:04:45 修改

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分类专栏：电子文章标签：嵌入式硬件单片机

于 2025-02-13 17:03:10 首次发布

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上一篇我们聊到传统planar MOSFET, DMOSFET,和VMOSFET结构

这节我们来说下FINFET鳍式mos管和GaaFET全栅包围式MOS管

我们说到,这种工艺的命名是和栅极与沟道channel的物理结构有关系

我们先看看FINfet鳍式mos管

我们看到这个栅极对他下面的比如说P型材料进行了三面包围面1,2,3

而传统的只对上面的面2进行接触

那它为什么叫鳍式呢, 因为上面的红色的gate像不像一个鱼游泳的时候展开的

两个鳍的样子, 所以叫鳍式 ,鱼鳍的英文叫做fin ,所以我们就finFET 鱼鳍式场效应管

同理GAA是gate all around的英文缩写,你能想像到gate极长什么样子了吧

把平面型 ,fin型,和gaa放在一起,你会看的更清楚

我们看到gaa的gate栅极是不是把沟道给整体包围了啊

那聪明的你会想为什么要进行包围呢,通俗来说有什么好处啊

在说明这个问题之前,我们说一个沟道channel的物理现象

叫作

短沟道效应:随着芯片mosfet尺寸的持续缩小

在 MOSFET（金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管）中，当沟道长度缩短到与源极和漏极的耗尽层宽度可比时，器件的电学特性会偏离基于长沟道理论所预期的特性，这种现象被称为短沟道效应。随着集成电路制造工艺的不断进步，MOSFET 的尺寸持续缩小，短沟道效应变得愈发显著，主要表现为以下几种情况：

阈值电压降低：阈值电压是使 MOSFET 开始导通所需的最小栅极电压。在短沟道器件中，源极和漏极的耗尽层相互影响，导致阈值电压随沟道长度的减小而降低，使得器件更易导通。
亚阈值斜率增大：亚阈值斜率描述了 MOSFET 在亚阈值区（栅极电压低于阈值电压）时，漏极电流随栅极电压变化的速率。短沟道效应会使亚阈值斜率变大，意味着在亚阈值区器件的关断特性变差，即使栅极电压低于阈值电压，仍会有较大的漏电流存在。
漏致势垒降低（DIBL）：随着漏极电压的增加，源极与沟道之间的势垒降低，使得更多的载流子能够从源极注入到沟道中，从而增加了漏电流。

而我们新的结构finfet和gaafet有如下好处

抑制上面提到的短沟道效应是其中之一,

结构与电场分布优势

1. 增大栅极 - 沟道接触面积

平面 MOS 管：传统平面 MOS 管的栅极位于硅基表面上方，仅能从沟道的一侧施加电场来控制载流子的流动，栅极与沟道的接触面积有限。当器件尺寸不断缩小，这种有限的接触面积使得栅极对沟道的控制效果减弱，容易引发短沟道效应等问题。
FinFET 和 GAAFET：FinFET 采用了鳍状的硅鳍作为沟道，栅极环绕硅鳍的三个侧面；GAAFET 则是完全环绕沟道（如纳米线、纳米片等结构）。这种结构设计大大增加了栅极与沟道的接触面积，使栅极电场能够更充分地作用于沟道中的载流子，从而增强了对沟道电流的调控能力。

2. 改善电场分布均匀性

平面 MOS 管：在平面结构中，电场分布不均匀，尤其是在沟道边缘和靠近源漏极的区域，电场容易出现畸变。这会导致载流子在沟道中的运动不稳定，影响器件的性能和可靠性。
FinFET 和 GAAFET：全栅包围结构使得栅极电场能够均匀地分布在整个沟道周围，有效减少了电场的畸变。均匀的电场分布有助于更好地控制载流子的运动，提高载流子的迁移率和输运效率，进而提升器件的开关性能和电流驱动能力。

抑制短沟道效应能力更强

1. 短沟道效应的影响

随着 MOS 管尺寸的缩小，短沟道效应成为制约器件性能的关键因素。短沟道效应会导致阈值电压降低、漏电流增加、亚阈值斜率变大等问题，使得器件的开关特性变差，功耗增加。

2. FinFET 和 GAAFET 的抑制机制

FinFET：其三维结构能够在一定程度上屏蔽源极和漏极之间的电场干扰。栅极环绕沟道的设计使得源漏电场对沟道的影响减小，从而更好地维持沟道中的电场分布，抑制短沟道效应的发生。
GAAFET：由于实现了对沟道的完全包围，能够更有效地控制沟道中的电场分布，进一步增强了对短沟道效应的抑制能力。相比 FinFET，GAAFET 在更小的尺寸下仍能保持良好的开关特性和较低的漏电流。

提升器件的开关性能

1. 更快的开关速度