Ti3SiC2 陶瓷MAX相化合物的制备方法技术

本文所述单相Ti3SiC2三元金属陶瓷的制备方法，以Ti粉、Si粉、C粉和Al粉为原料，步骤如下：

1. 将原料Ti粉、Si粉、C粉和Al粉按摩尔比MTi:MSi:MC:MAl＝3:1.5:1.9:0.5称重配料，并混合均匀得混合料；
2. 将步骤(1)所得混合料加入模具，在10～24Mpa压力下形成生坯；
3. 将步骤(2)制备的生坯放入烧结炉中，在Ar气氛围或真空条件下升温至1310～1500℃保温烧结至少2h，烧结时间到达后随炉冷却至室温即得到单相Ti3SiC2三元金属陶瓷。采用本发明专利技术所述方法，可制备出单相高纯Ti3SiC2三元金属陶瓷，其X射线衍射谱中不存在任何杂质峰。
4. 

 

单相Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法 本技术属于MAX相三元金属陶瓷制备领域，特别涉及一种高纯度、单相三元Ti3SiC2金属陶瓷的制备方法。

技术介绍 MAX相(Mn+1AXn，其中M是早期过渡金属，A是A族元素，X是C或N)三元层状金属陶瓷兼具陶瓷和金属的双重性质，具有可机械加工性、良好的导热导电性等金属性能，同时具有高弹性模量、抗氧化性和耐腐蚀性等陶瓷性能，可作为电接触材料、高温结构材料、耐磨损保护涂层，特别适用于强热冲击、强辐照和高温等严苛的极端环境。Ti3SiC2作为MAX相材料的代表，相对Ti3AlC2等材料具有更强的耐腐蚀和抗热冲击性能，吸引了更多关注。目前制备Ti3SiC2多采用反应热压(HP)、热等静压(HIP)、脉冲放电烧结(PDS)等复杂的工艺方法，但上述现有制备方法都无法根除TiC杂质相，限制了其性能的应用，且制备过程依赖于昂贵的高品质纳米原料或较大的烧结压力条件，导致生产成本和能源消耗增大，不适用于规模化生产。

Ti3C2-MXenes	12316-56-2
Ti3C2 透明 薄膜	12316-56-2
锰离子插层MXene Ti3C2	12316-56-2
超大尺寸的Ti3C2纳米片（>10μm）	12316-56-2
氮化多层Ti3C2	12316-56-2
多层Ti3C2 mxene原位负载纳米银	12316-56-2
S原位掺杂mxene	12316-56-2
单层胶体溶液 Ti3C2 MXenes材料	12316-56-2
自支撑膜材料 Ti3C2 MXenes材料	12316-56-2
单层大尺寸(>5微米)Ti3C2 -mxene 胶体溶液	12316-56-2
单层小尺寸（小于100nm） Ti3C2 水溶液	12316-56-2
单层Ti3C2 乙醇 胶体溶液	12316-56-2
Ti3C2 MXenes材料 单层胶体DMF溶液	12316-56-2
黏土材料 Ti3C2 MXenes材料	12316-56-2
风琴状Ti3C2 MXenes材料	12316-56-2
Ti2C-MXenes	12316-56-2
超大尺寸的Ti2C纳米片（>10μm）	12316-56-2
Ti2C MXenes材料 单层胶体DMF溶液	12316-56-2
单层小尺寸（小于100nm） Ti2C 水溶液	12316-56-2
单层大尺寸(>5微米)Ti2C -mxene 胶体溶液	12316-56-2
单层Ti2C 乙醇 胶体溶液	12316-56-2
单层胶体溶液