六、用场效应管设计非门

已于 2023-01-29 17:20:29 修改
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分类专栏： 零基础速学MOS管数字电路设计-反相器到数字芯片设计 文章标签： 硬件工程 嵌入式硬件 蓝桥杯
于 2022-01-25 12:46:46 首次发布
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本文详细分析了如何使用场效应管设计非门电路。在输入为高电平时，NMOS管导通，输出为低电平；而当输入为低电平时，PMOS管导通，输出则为高电平。配合Multisim仿真文件，加深理解。
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非门分析

电路图

1.输入为高电平时

2.输入为低电平时

晶体管级数字电路设计专栏目录_XMJYBY的博客-CSDN博客

非门分析

电路图

1.输入为高电平时

输入为高电平时，正电压导通的NMOS管导通，负电压导通的PMOS管截止。

因此输出端与地相连，输出为低电平。

2.输入为低电平时

 输入为低电平时，负电压导通的PMOS管导通，正电压导通的NMOS管截止。

因此输出端与电源相连，输出为高电平。

晶体管级数字电路设计专栏目录_XMJYBY的博客-CSDN博客

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用场效应管搭建的非门、与非门、或非门-嵌入式文档类资源-CSDN文库https://download.csdn.net/download/zhjysx/78253827

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