ST 90nm小页面NAND闪存提供较低成本存储方案

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欲打印此文章，从您的浏览器菜单中选择“文件”后再选“打印”。 ST 90nm小页面NAND闪存提供较低成本存储方案 上网时间: 2006年02月28日   意法半导体(ST)日前宣布，该公司采用90nm制造工艺的小页面NAND闪存系列产品全线上市。ST的128、256和512兆位闪存产品已向90nm先进制造工艺的成功转型，同时还为数码相机、PDA、GPS导航系统、低密度闪存卡、U盘、打印机、机顶盒、数字电视、汽车多媒体系统和多媒体手机等产品提供了节省成本的存储解决方案。 NAND闪存产品的数据传输速度极快，并具有数据可擦除功能。该系列产品的寻址线路和数据输入/输出是通过一条8位总线传输信号，这种多路复用技术不仅可以减少封装引脚的数量，还允许系统使用一个模块化的NAND接口，无需改变芯片的占板面积，即可使系统自动适应高密度或低密度的闪存设备。 ST还提供一套软件工具链，帮助用户快速开发使用新闪存芯片的产品，同时还有助于延长产品的使用寿命。工具包括纠错代码(ECC)软件、坏块管理(BBM)、平均读写算法、文件系统OS本机参考软件和硬件仿真模型，其中坏块管理能够识别失败的擦写操作并将无效区块上的数据复制到有效区块上；平均读写算法通过在所有的区块中分配擦写操作可以减缓芯片老化速度。 存储器由16千字节的区块组成，每个区块再细划分为512字节的页面，每个页面还预留16字节的可被页面读写和编程的存储空间。预留字节通常用于纠错代码、软件标记或坏区块识别。数据复制程序模式可以使存储在一个页面的数据直接编程搅硪桓鲆趁妫扌柰獠炕捍妫币桓鲆趁姹喑滩僮饕蛭樗鸹刀О苁保莞粗乒δ芫陀糜谝贫鸹档氖荨Ｐ虏坊固峁┮桓銮椴脸噶睿脸奔浣?ms。每个区块规定擦写循环100,000 次，数据保存期限10年。 新产品具有“无需介意芯片启动”(Chip Enable Don't Care)功能，这个功能可以简化微控制器的接口设计，以及NAND闪存与其它类型存储器(NOR闪存和xRAM)的整合方法。用于速度更快的代码和工作内存，可使用成本更低廉、密度更高的NAND闪存存储大容量文件。设备制造商在产品出厂前可以编写一个唯一设备ID，用户可编程序列号功能支持目标应用日益提高的安全性能。 ST的90nm制造工艺小页面NAND闪存系列目前已投入量产，订购100,000件芯片，单价分别为3美元(128Mbit)、4美元(256Mbit)和5美元(512Mbit) 。 此文章源自《电子工程专辑》网站： http://www.eetchina.com/ART_8800408519_626963_5c2c86f8200602.HTM