IR2184s的耐压测量

IR2184耐压测量结果

AD\Test\2025\March\TestIR2184SHV.SchDoc

 

01 IR2184s的耐压


一、前言

  半桥驱动芯片IR2184, 输出耐压 可以承受到600V。  这个电压应该是 VB端口, 通过内部两个电平平移三极管对地之间的耐压。  下面使用晶体管耐压仪测量手边的一颗IR2184芯片的实际耐压。

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二、测试电路板

  为了便于测量, 设计一个转接板, 将IR2184的管脚引至6芯的接口。  这样便可以利用面包板进行测试。  使用面包板给它提供12V的工作电压。  利用晶体管耐压模块测量输出管脚对地线之间的击穿。

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三、测量结果

  首先, 给芯片施加12V工作电压。  测量VB端口对地之间的耐压。  测量结果显示, VB对地之间的耐压大约为 610V, 这与数据手册给定的参数是相符合的。  下面测量下桥臂驱动三极管的耐压。  测量 LO端口对地之间的耐压。  很奇怪。 这个耐压只有 3V左右。 这有可能是输入IN端口为低电平, 使得下管已经导通, 所以它的击穿电压很低。

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  结 ※


  文测试了MOS管半桥驱动芯片, IR2184的驱动端口的耐压。  特别是上桥臂击穿, 达到了610V。  下桥臂的耐压没有能够准确的测量出来。

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