IR2184耐压测量结果
AD\Test\2025\March\TestIR2184SHV.SchDoc
01 IR2184s的耐压
一、前言
半桥驱动芯片IR2184, 输出耐压 可以承受到600V。 这个电压应该是 VB端口, 通过内部两个电平平移三极管对地之间的耐压。 下面使用晶体管耐压仪测量手边的一颗IR2184芯片的实际耐压。
二、测试电路板
为了便于测量, 设计一个转接板, 将IR2184的管脚引至6芯的接口。 这样便可以利用面包板进行测试。 使用面包板给它提供12V的工作电压。 利用晶体管耐压模块测量输出管脚对地线之间的击穿。
三、测量结果
首先, 给芯片施加12V工作电压。 测量VB端口对地之间的耐压。 测量结果显示, VB对地之间的耐压大约为 610V, 这与数据手册给定的参数是相符合的。 下面测量下桥臂驱动三极管的耐压。 测量 LO端口对地之间的耐压。 很奇怪。 这个耐压只有 3V左右。 这有可能是输入IN端口为低电平, 使得下管已经导通, 所以它的击穿电压很低。
※ 总 结 ※
本文测试了MOS管半桥驱动芯片, IR2184的驱动端口的耐压。 特别是上桥臂击穿, 达到了610V。 下桥臂的耐压没有能够准确的测量出来。
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