内存堆叠革命：SK海力士引领HBM4时代，混合键合技术开辟高速存储新篇章

韩国存储巨头SK海力士在2024年的COMPUTEX展会上首次亮相，不仅展示了最新的HBM3e内存技术，还介绍了MR-MUF（Mass Re-flow Molded Underfill）技术，同时透露混合键合（Hybrid Bonding）将是芯片堆叠技术中的关键突破点。以下是这一系列动态的深入分析：

### HBM4战局开启：SK海力士的技术布局

#### MR-MUF技术：堆叠工艺的革新

MR-MUF技术是一种创新的半导体芯片贴装方法，采用液态环氧模塑料(EMC)来填充堆叠过程中芯片间或芯片与凸点间的空隙，实现了更紧密的芯片堆叠。该技术带来的直接好处是热管理性能提升10%，能源效率提高10%，产品容量达到36GB，并支持高达12层的堆叠。与三星和美光采用的TC-NCF技术相比，MR-MUF技术无需多次高温高压固化及后续清洗步骤，一步完成且无需清洁，热导率大约是NCF的两倍，显著提升了工艺速度和良品率。

#### 混合键合：应对堆叠挑战的关键

随着堆叠层数增加，HBM封装厚度被限制在775微米（μm）内，这对当前封装技术提出了巨大挑战。混合键合技术成为突破这一限制的可能方案。它通过特殊材料直接连接芯片，取代传统微凸点，大大减少了芯片厚度。SK海力士计划在未来使用这种技术生产HBM4内存，目标是到2026年开始大规模生产16层HBM4，实现更高密度的DRAM堆叠。

#### HBM4E展望：更高层数与更大容量

据韩媒《每日经济新闻》报道，预计HBM4E将是一款16至20层的产品，可能会在2028年面世。SK海力士计划首次在HBM4E中应用10纳米级别的1c DRAM，这将大幅提高内存容量。这意味着在保持封装厚度符合标准的前提下，通过技术创新实现更复杂和更高容量的内存解决方案。

### 结论

SK海力士在HBM4技术上的布局，特别是MR-MUF和混合键合技术的应用，展现了其在高带宽内存领域追求技术创新和领先地位的决心。随着堆叠层数的增加和内存容量需求的增长，这些技术不仅解决了散热和厚度限制等实际问题，也为未来的高性能计算、数据中心和图形处理应用铺平了道路。尽管目前混合键合的良品率尚待提高，但SK海力士对此持乐观态度，预示着HBM技术的下一轮重大飞跃即将到来。