国产内存厂商CXMT DDR5良率将在2025突破90%

在全球DRAM市场中，韩国的SK海力士和三星电子等巨头不断推进技术革新。与此同时，国产DRAM制造商长鑫存储（CXMT）在DDR5生产方面取得了显著进展，根据TechPowerUp和MyDrivers的报道，其DDR5良率已达到80%，并计划在2025年底前进一步提高到90%。

最初，CXMT在DDR5生产的良率为50%，通过持续的技术优化和生产工艺改进，CXMT迅速将DDR5良率提升至80%，CXMT设定了一个雄心勃勃的目标，即到2025年底将DDR5的良率提升至90%。

CXMT目前在合肥运营两座晶圆厂：
第一座晶圆厂：专注于DDR4生产，月产能为10万片晶圆，采用19nm工艺，DDR4的良率达到90%。
第二座晶圆厂：专攻DDR5生产，使用17nm工艺，当前月产能为5万片晶圆。尽管如此，相较于三星和SK海力士已经采用的更先进的12nm节点，CXMT仍有追赶的空间。

为了保持竞争力，CXMT将扩增DDR5和HBM生产能力，预计2025年将在第二座晶圆厂新增5万片晶圆的月产能，并开始低量生产HBM2。虽然市场上主要参与者已经量产HBM3和HBM3E，并准备发布HBM4，但CXMT在HBM2方面的进展对于开发国产AI硬件来说仍是一个重要里程碑。

从2024年第三季度开始，CXMT着手采购HBM2生产设备，包括与先进封装技术相关的TSV（硅穿孔）和KGSD（晶圆级堆叠）机器，这些设备将支持更高性能内存产品的制造。

长鑫存储（CXMT）在DDR5良率上取得的重大突破，不仅标志着该公司在技术上的成功，也体现了中国半导体产业在全球市场中的崛起。随着CXMT继续投资于技术创新和产能扩张，预计它将进一步缩小与国际领先企业的差距，并在全球DRAM市场中占据更加重要的位置。此外，CXMT在HBM2方面的进展对于推动中国本土AI硬件的发展具有重要意义，同时也为未来的高性能计算应用提供了坚实的基础。

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