STM32 FLASH

最新推荐文章于 2024-05-02 15:43:06 发布
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分类专栏： STM32 文章标签： flash byte
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FLASH擦写时间和供电大小有关，供电电压越大，擦写时间越小，空间前4X16K,1X64K ,NX128

#define VoltageRange_1        ((uint8_t)0x00)  /*!< Device operating range: 1.8V to 2.1V */ ----FLASH_PSIZE_BYTE    (PSIZE 8)
#define VoltageRange_2        ((uint8_t)0x01)  /*!<Device operating range: 2.1V to 2.7V */ -----FLASH_PSIZE_HALF_WORD (PSIZE 16)
 #define VoltageRange_3        ((uint8_t)0x02)  /*!<Device operating range: 2.7V to 3.6V */------FLASH_PSIZE_WORD(PSIZE 32)

 

 

zyboy2000
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专栏目录
nand flash从1.8V替换为3.3v
chengzi31的专栏
03-30 4221
机子开始量产了，但是1.8v的nandflash库存不足，而且国内基本上都买不到货了。那只好用3.3v的nanflash来替代。 那替代的话，相应的程序是需要修改的，否则无法正常运行。其实要改的也就是更改一下flash device code 即可。 基本原理如下： bootloader下的mian.c中的 1）BOOL OEMPlatformInit(void) 2）// BP_Init() will invoke FMD_Init().      if (!BP_Init((LPBYTE)
stm32 flash loader
06-09
STM32 Flash Loader是STMicroelectronics（意法半导体）为STM32系列微控制器提供的一种固件升级工具，主要用于向STM32芯片的闪存中烧录程序。V2.8.0是这个工具的一个版本号，"111"可能是某种内部标记或者更新日志的...
关于你STM32F407片内FLASH擦除失败的问题
xiahailong90的博客
08-22 5515
参考上面的文章，我觉得问题很可能出现在flash解锁和擦除flash之间，很有可能擦除flash之前解锁操作并为完成导致。=HAL_OK)//写入数据。while(addrx
STM32F4内部Flash读写
zhang062061的专栏
03-01 3359
之前的文章中介绍过STM32F0列的内部Flash读写《STM32CubeMX之内部Flash读写》，F1系列的也是一样的。而F4系列的单片机与F0和F1略有不同，HAL库对应的函数也不...
STM32 Flash
最新发布
qq_68719489的博客
05-02 1204
STM32F1系列的FLASH包含程序存储器、系统存储器和选项字节三个部分，通过闪存存储器接口（外设）可以对程序存储器和选项字节进行闪存存储器，可以在通用地址空间直接寻址，即可读写FLASH的用途：（1）利用程序存储器的剩余空间来（2）通过在程序中编程（IAP），闪存存储器可以用ICP或IAP方式编程：ICP方式用于更新闪存存储器的全部内容，它通过JTAG、 SWD协议或系统加载程序(Bootloader)下载用户应用程序到微控制器中。IAP。
STM32-OTA(三)读写FLASH
嵌入式开发
02-17 955
STM32-OTA(三)读写FLASH
全球首款1.8V电压的8Mb Serial Flash（Atmel）
11-17
爱特梅尔公司 (Atmel:registered: Corporation) 宣布业界首款能够在1.8V电压下运作的8Mb Serial Flash 器件 AT25DF081，经已准备投产。全新的AT25DF081具有1.65V到1.95V的低工作电压范围，与许多现有和即将面市的采用亚90nm工艺的ASIC和处理器/控制器相同的工作电压，允许系统设计人员最终创建出使用单一电源电压为系统中所有元件供电的应用，并可显著降低成本。不同于那些经筛选在较低电压下工作而使到性能降低的器件，AT25DF081专门针对1.8V电压而设计，能够让器件保持与3V电压同级产品一样的性能水平。 　　爱特梅尔根据客户的直接及特定需求开发出A
STM32 FLASH擦写电压的问题，即编程/ 擦除并行位数设置
MCJ的博客
05-18 1816
可以看到根据电压来设置PSIZE，但是看到的手册都说，使用的电压必须和擦写并行位数相匹配，正点原子给的编程手册也是这么写的，这就误导了许多人，任务电压使用3.3V就必须设置PSIZE为10。 然后我查找了很多信息，终于找到了这个问题的解释，就是如果你使用3.3V，你最大可以操作的位数就是32位，如果你操作64位，就不保证数据的稳定性了，但是你操作16位和8位是没有问题的。 数据手册DM00023388_ZHV1中说明了这个问题，我这里上传不了。可以百度查一下。 ...
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STM32型号的说明：以STM32F103RBT6这个型号的芯片为例，该型号的组成为7个部分，其命名规则如下： （1）STM32：STM32代表ARM Cortex-M3内核的32位微控制器。 （2）F：F代表芯片子系列。 （3）103：103代表增强型系列。 （4）R：R这一项代表引脚数，其中T代表36脚，C代表48脚，R代表64脚，V代表100脚，Z代表144脚。 （5）B：B这一项代表内嵌Flash容量，其中6代表32K字节Flash，8代表64K字节Flash，B代表128K字节Flas...
【stm32f407】flash编程
朝气蓬勃
06-26 1万+
一．Flash介绍 不同型号的STM32F40xx/41xx，其FLASH容量也有所不同，最小的只有128K字节，最大的则达到了1024K字节。STM32F4的FLASH容量为1024K字节，如参考手册图: STM32F4的闪存模块由：主存储器、系统存储器、OPT区域和选项字节等4部分组成。主存储器，该部分用来存放代码和数据常数（如const类型的数据）。分为12个扇区，前4个扇区为1
stm32flash-0.5
07-22
STM32Flash 0.5 是一个专为STM32微控制器设计的Linux下的ISP（In-System Programming）固件下载工具。这个工具允许用户在不使用专门的编程器或者JTAG接口的情况下，通过串口或者USB接口对STM32芯片进行固件更新。这...
STM32 Flash Loader Demo v2.8.0
04-25
The STM32 Flash loader demonstrator (FLASHER-STM32) is a free software PC utility from STMicroelectronics, which runs on Microsoft® OSs and communicates through the RS232 with the STM32 system memory...
stm32flash
02-18
Usage: ./stm32flash [-bvngfhc] [-[rw] filename] /dev/ttyS0 -b rate Baud rate (default 57600) -r filename Read flash to file -w filename Write flash to file -u Disable the flash write-protection -...
Stm32Flash_flash_stm32_STM32flash例程_
09-30
STM32是一款基于ARM ...通过深入学习和实践这个`STM32Flash_flash_stm32_STM32flash例程`，初学者不仅能理解STM32的Flash工作原理，还能掌握如何在实际项目中高效地利用Flash资源，为后续的STM32开发打下坚实基础。
flash代码_正点原子【STM32-F407探索者】第三十九章 FLASH 模拟 EEPROM 实验
weixin_39548541的博客
11-23 1021
1)资料下载:点击资料即可下载2)对正点原子Linux感兴趣的同学可以加群讨论：9354467413）关注正点原子公众号，获取最新资料更新http://weixin.qq.com/r/hEhUTLbEdesKrfIv9x2W (二维码自动识别)STM32F4 本身没有自带 EEPROM，但是 STM32F4 具有 IAP（在应用编程）功能，所以我 们可以把它的 FLASH 当成 EEPROM 来使...
gd32运行ST HAL库Flash擦除失败问题
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06-01 1264
GD32F450 pin to pin 替换STM32F429，运行STM32代码。做擦除扇区2和扇区3操作时（两个16KB大小的扇区），出现扇区2 Flash擦除，扇区3成功的异常情况。
低电压NAND flash介绍
深圳市雷龙发展有限公司
07-18 1321
低电压NAND flash介绍 随着便携式设备和穿戴式设备的兴起，产品对于功耗的要求也是越来越严格，基本这类设备对于待机时间，工作时间都有相应的要求。然而普通的NAND flash的供电电压是3.3V，这样就导致整个NAND flash在读和写的时候，功耗会比较大。如果系统要频繁从NAND flash中获取数据，这样对于整个NAND flash的功耗又会增加，据此原因，ATO针对这类应该开发出来...
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zhen
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文章来源：STM32内部FLASH读写-通用 编译环境：我用的是(Keil)MDK4.7.2 stm32库版本：我用的是3.5.0 一、本文不对FLASH的基础知识做详细的介绍，不懂得地方请查阅有关资料。 　　对STM32 内部FLASH进行编程操作，需要遵循以下流程： 　　FLASH解锁 　　清除相关标志位 　　擦除FLASH(先擦除后写入的原因是为了工业上制作方便，即物理实现方便) 　　写入FLASH 　　锁定FLASH 实例： #define FLASH_PAGE_SIZE ((uint16_t
STM32 IAP固件升级 认知篇
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环境 stm32f103zet6 MDK 5.28 芯片 Flash大小 我用的是stm32f103zet6属于高容量产品，flash大小512KB，每个Page2KB大小，一共256页（这个可以根据自己的芯片去ST官网查询文档），如下图所示： 我们这边对这个flash再做个划分（需要根据固件大小和bootloader程序大小划分，bootloader程序出厂就不会改变了，所以要预留考虑好分区是否放的下程序）： bootloader大小是前128KB，从0x08000000~0x0801FFFF AP

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