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高端驱动和低端驱动

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高端功率开关驱动的原理非常简单,和低端功率开关驱动相对应,就是负载一端和开关管相连,另外一端直接接地。正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态;反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过高端的开关管,然后经过负载流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所示。


一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,适用于高     速控制,另外MOSFET的导通内阻很低,在毫欧级别,可以通过的稳定电流很大,因此适用于高功率的驱动。P型的MOSFET相对于同样的硅片面积,导通内阻较大,开关速度也比较慢,故N型MOSFET使用较多。


低端功率开关驱动电路的工作原理

  低端功率开关驱动的原理非常简单,就是负载一端直接和电源正端相连,另外一端直接和开关管相连,正常情况下,没有控制信号的时候,开关管不导通,负载中没有电流流过,即负载处于断电状态;反之,如果控制信号有效的时候,打开开关管,于是电流从电源正端经过负载,然后经过功率开关流出,负载进入通电状态,从而产生响应的动作。基本的驱动原理图如图所示。



一般现在采用的开关功率管为N型MOSFET,N型MOSFET的优点是驱动采用电压驱动,驱动电流很小,驱动功耗低,而且工作频率可以很高,适用用高速控制,另外MOSFET的导通内阻很低,在mΩ级别,可以通过的稳定电流很大,因此适用于高功率的驱动。P型的MOSFET相对于同样的硅片面积,导通内阻较大,故N型适用较多。


区别:

  高端驱动是指在负载的供电端进行开关操作,低端驱动是指在负载的接地端进行开关操作。显而易见的区别是,如果是低端驱动,那么负载一端会始终接供电。应用上有诸多差别,但各有优劣,比如,如果你要做电流采样,那么用高端开关需要做差分采样,低端开关可以一根线共地采样。另外还有一些安全性的考虑,比如,如果你的驱动失效会引起安全问题,显然高端开关更安全。

    高端驱动是指相对于负载工作电压而言用高电压控制输出,而低端驱动则是指相对于负载工作电压而言用低电压控制输出。


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