基础原件-------二极管 学习笔记

概述

二极管是最基础的晶体管，在电平转换电路，电源自动切换电路，防反接电路，都有二极管的影子。

二极管的伏安特性曲线图是理解二极管应用的核心。

一、二极管基础知识

1. 什么是二极管

百度官方解释：

二极管由半导体材料组成，具有单向导电性。

2. 二极管的组成及工作原理

二极管就是由一个PN结加上相应的电极引线及管壳封装而成的。
何为PN结：
采用不同的掺杂工艺，通过扩散作用，将P型半导体与N型半导体制作在同一块半导体（通常是硅或锗）基片上，在它们的交界面就形成空间电荷区称为PN结。

PN结理论知识看视频：

链接: 人类最伟大的发明–PN结

二极管工作的原理简单概括为：
PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流;
PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。
PN结具有单向导电性。

二、二极管特性

1.伏安特性曲线

• 正向特性(外加正向电压，上图中X坐标的正半部分)
  当正向电压超过某一数值后，二极管才有明显的正向电流，该电压值称为导通电压。
  在室温下，硅管的Ｖth约为0.5V，锗管的Ｖth约为0.1V。
  大于导通电压的区域称为导通区。
  当流过二极管的电流Ｉ比较大时，二极管两端的电压几乎维持恒定，硅管约为0.6～0.8Ｖ（通常取0.7Ｖ），锗管约为0.2～0.3V（通常取0.2Ｖ）。
• 反向特性(外加正向电压，上图中X坐标的负半部分)
  在反向电压小于反向击穿电压的范围内，由少数载流子形成的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。此部分为截止区。
  由二极管的正向与反向特性可直观的看出：
  ①二极管是非线性器件；②二极管具有单向导电性。
  反向击穿特性：当反向电压增加到某一数值ＶBR时，反向电流急剧增大，这种现象叫做二极管的反向击穿。

2.温度的影响

温度升高会导致：
正向特性左移（导通电压降低，正向压降降低），
反向特性下移（反向电流增加）。

3.击穿

(1)电击穿

1）雪崩击穿

材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子，就会在电场作用下，使获得的能量增大。在晶体中运行的电子将不断的与晶体原子发生碰撞，通过这样的碰撞可使束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子和空穴。新产生的自由电子在电场作用下撞出其他价电子，又产生新的自由电子和空穴。如此连锁反应，使得阻挡层中的载流子的数量雪崩式地增加，流过PN结的电流就急剧增大击穿PN结，这种碰撞电离导致击穿称为雪崩击穿，也称为电子雪崩现象。

2）奇纳击穿

当PN结的掺杂浓度很高时，阻挡层就十分薄。这种阻挡层特别薄的PN结，只要加上不大的反向电压，阻挡层内部的电场强度就可达到非常高的数值。这种很强的电场强度可以把阻挡层内中性原子的价电子直接从共价键中拉出来，变为自由电子，同时产生空穴，这个过程称为场致激发。由场致激发而产生大量的载流子，使PN结的反向电流剧增，呈现反向击穿现象。这种击穿通常称为齐纳击穿。齐纳击穿发生在掺杂浓度很高的PN结上，同时在此较低的外加电压时就会出现这种击穿。

采取适当的掺杂工艺，可将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。💚💚💚💚💚

(1)热击穿

在使用二极管的过程中，如由于反向电流和反向电压过大，使得PN结功耗变大，超过PN结的允许功耗，温度上升直到过热使PN结击穿的现象叫热击穿。

热击穿后二极管将发生永久性损坏。

三、 二极管的参数

以1N4148W数据手册参数表为例。

1. IF（AV）(最大正向平均电流 Maximum Average Forward Rectified Current)

指二极管长期运行时，根据允许温升折算出来的平均电流值。
图中为Maximum Average Forward Rectified Current IF（AV）= 150mA

2. IFRM（最大正向重复电流 Maximunm Forward repetitive）

二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。
图中为Repetitive peak forward current IFRM = 300mA

3. VBR反向击穿电压（Reverse Breakdown voltage） 与 VRWM (最高反向工作电压 Repetitive Working MAX reverse voltage)

二极管两端允许施加的最大反向电压。若大于此值，则反向电流(IR)剧增，二极管的单向导电性被破坏，从而引起反向击穿。通常取反向击穿电压(VBR)的一半作为(VRM)。

图中两个值均为100V

4. IR(反向电流 Reverse current)

反向电流是指二极管在规定的温度和反向电压作用下，流过二极管的反向电流。不同的反向电压下的反向电流肯定是不一样的。
反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。反向电流与温度密切相关，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。
硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。
图中为 Reverse Leakage Current IR ：
反向电压为 75V 时，反向电流为 1uA， 反向电压为 20V 时，反向电流为 25nA。

5. CT （结电容 Diode junction capacitance）

由于结电容的存在，当频率高到某一程度时，容抗小到使 PN 结短路。导致二极管失去单向导电性或单向导电性变差，不能工作，PN 结面积越大，结电容也越大，越不能在高频情况下工作。

图中此参数 当VR =0V,f=1MHz ，CT = 4pF

6.Trr（反向恢复时间 reverse recovery time）

当工作电压从正向电压变成反向电压时，二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。实际上，一般要延迟一点点时间。决定电流截止延时的量，就是反向恢复时 间。虽然它直接影响二极管的开关速度，但不一定说这个值小就好。也即当二极管由导通突然反向时，反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。大功率开关管工作在高频开关状态时，此项指标至为重要。
上图中的二极管 在 IF=IR=10mA,Irr=0.1×IR , RL=100Ω 的条件下，反向恢复时间为 4ns。

7.IFSM(正向浪涌电流 Forward Surge Current)

浪涌电流，是允许流过的瞬间电流，超过这个值会损坏二极管。

上图中的二极管的浪涌电流最大允许 2A电流不超过1us 或 0.5A电流不超过 1s。

四、二极管的判别

二极管的种类封装都很多，我们需要学会从样子判断一个二极管的正负极，以及使用万用表进行简单的测量。

1.外观

（1）普通二极管有横杆或者色端标识的极是负极。

（2）发光二极管判断的话，长脚是正极，短脚是负极。内部大的是负极，小的是正极。

2.原理图和PCB丝印

二极管有多种不同的分类，他的原理图图标也有些不同：

PCB丝印中，负极一般有横杠或双横杠或者有缺口。

3.万用表测量

万用表调整至二极管档位，红表笔接二极管 + 极，黑表笔接二极管 - 极，可以看到有一个电压值，就个电压值就是二极管的导通压降（0.2~0.8V 不同二极管电压值不同），反过来接，没有电压值显示（无穷大）。

五、二极管的封装

多引脚封装的二极管：

在上面的封装中，都是由多个二极管的组成进行封装的。
目的：使多个二极管之间的差异会比单独的二极管小得多，使二极管之间的性能差异减小。我们在设计电路的时候，因为布局走线问题，使用独立的二极管也会导致并联的二极管存在性能差异，如果使用上面组合形式封装的二极管，可以避免这种不一致问题的存在，减少电路问题。

使用组合形式封装的二极管比使用独立元器件更加稳定可靠，在某些特殊场合尽量使用组合封装的二极管（ESD防护，桥堆）。

六、二极管分类及应用

1.肖特基二极管

肖特基二极管现在用得也越来越多的，在防反接保护电路场合基本都是使用的肖特基二极管，比如：SS34，SS12，B5819W 等。

肖特基二极管 不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，
而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。
最主要特点导通压降小

2.TVS瞬态抑制二极管

TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。
TVS 有单向与双向之分，单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS直流电路交流电路均可使用，一般适用于交流电路中。

3. ESD静电保护二极管

ESD二极管其实和 TVS 二极管原理是一样的，也是为了保护电，主要功能是防止静电。

静电防护的前提条件就要求其电容值(结电容)要足够地低，一般在1PF-3.5PF之间最好，主要应用于板级保护。

我们的身上和周围就带有很高的静电电压，几千伏甚至几万伏。这些静电也许对人体影响不大，但对于一些ESDS（静电敏感元件），却直接可以使其失去本身应有的正常性能，甚至完全丧失正常功能。这样ESD防护就非常必要了。

在我们实际项目中，USB接口一般都会接一个ESD二极管：

ESD二极管的功率普遍都比较低，一般功率都在50W、90W、100W、200W、350W、400W、450W、500W等。

TVS二极管的功率相对更高：200W、400W、500W、600W、1000W、1500W、3000W、3600W、4600W、5000W、6000W、6600W、15000W、30000W，甚至还有超高功率的TVS二极管。

ESD选型的时候主要看的是他的抗静电等级。
TVS选型的时候主要看的是他的功率。

ESD 二极管的结电容比较低，一般可小刀 几 pf，甚至 0.几 pf，静电防护的前提条件就要求其电容值要足够地低。
TVS 二极管的结电容一般在 几十pf 到几十 nf 之间 。

4. 稳压二极管（齐纳二极管）

齐纳是人名。
稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。

稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。

稳压值 = 反向击穿电压

说明，稳压二极管使用一般都需要串联一个电阻做限流电阻用，因为一般来说稳压二极管的功率比较小。

二极管击穿且电流过大才会烧坏，保证电流在一定值，二极管是不会烧坏的。

稳压二极管可以串联起来获得更高的稳定电压。

5.整流二极管

整流二极管(rectifier diode)一种利用二极管单向导电的特性，将交流电转变为直流电的二极管，整流二极管正反向电阻相差很大，且反向电阻接近于无穷大。

• 半波整流：

• 通过整流桥进行全波整流
  
  整流桥：
  正半周期：
  

负半周期：

再加个绿波电龙：

七、总结

二极管用途太多，像LED等较为简单的不写了。
其余功能 用到在学！