STM32推挽输出（Push-Pull Output）与开漏输出（Open-Drain Output）对比

推挽输出（Push-Pull Output）

原理

推挽输出是一种常见的输出驱动方式，由两个MOSFET组成，一个与电源相连（P沟道MOSFET），一个与地相连（N沟道MOSFET）。在任意时刻，只有一个MOSFET是导通的。通过控制这两个MOSFET的开关，可以输出高电平（连接到电源）或低电平（连接到地）。

特点

1. 双向驱动：能够输出高电平和低电平，驱动能力强。
2. 速度快：由于两个MOSFET的快速切换，推挽输出响应速度快，适用于高速信号。
3. 能耗低：当输出稳定在高电平或低电平时，只有一个MOSFET导通，能耗较低。

应用

推挽输出广泛应用于数字信号输出，如控制LED、驱动数字电路输入、通信接口等。

开漏输出（Open-Drain Output）

原理

开漏输出是一种使用单个N沟道MOSFET的输出方式。当MOSFET导通时，引脚连接到地；当MOSFET关闭时，引脚处于高阻状态（浮空）。为了输出高电平，需要外部上拉电阻将引脚拉到电源电压。

特点

1. 单向驱动：只能主动拉低电平，无法主动输出高电平。高电平依赖外部上拉电阻。
2. 线与功能：多个开漏输出可以连接到同一条线上，实现“线与”逻辑（即多个开漏引脚的并联线只要有一个拉低，线就为低电平）。
3. 灵活性高：可以用于不同电压等级的电路之间的接口，通过选择适当的上拉电阻，可以适配不同的逻辑电平。

应用

开漏输出常用于I2C总线、按键输入、多个设备共享一条数据线的场合（如中断信号）、电平转换电路等。

对比总结

• 推挽输出：可以主动输出高电平和低电平，适用于需要强驱动能力和高速响应的场合。
• 开漏输出：只能主动拉低电平，高电平依赖外部上拉电阻，适用于需要“线与”逻辑或不同电压等级电路连接的场合。