第三章-存储系统（三）半导体存储器

1.1DAM芯片

分类：

• DRAM芯片：使用栅极电容存储信息
• SRAM芯片：使用双稳态触发器存储信息

核心区别：储存元不一样

1.2DRAM和SRAM的比较

对于DRAM中：

• 1：电容内存储了电荷
• 0：电容内未存储电荷

 DRAM芯片

数字表示：
读出1：MOS管接通，电容放电，数 据线上产生电流

读出0：MOS管接通后，数据线上无 电流

电容放电信息被破坏，是破坏性读出。因为一开始电流为1，度完后为0.

读出后有重写操作 ，故读写速度相对于SRAM更慢（SRAM没有这个操作，这个操作也被叫做刷新。）

SRAM

数字表示（双稳态）：

1：A高B低

0：A低B高

注意：双稳态触发器 （6个MOS管）也就表明集成度低，体积大。
读出数据，触发器状态保持稳定，是非破坏性读出，无需重写，故速度更快。

集成度对比：

• DRAM：每个存储元制造成 本更低，集成度高， 功耗低
• SRAM：每个存储元制造成 本更高，集成度低， 功耗大

总结：

引出了为什么SRAM不需要刷新，DRAM需要刷新。

答：DRAM：电容内的电荷只能维持2ms。即便不断电，2ms后信息也会消失，2ms之内必须 “刷新”一次 （给电容充电）

而SRAM不改变触发器的状态，故不需要刷新。

1.3DRAM的刷新

1. 多久需要刷新一次？ 刷新周期：一般为2ms

2.每次刷新多少存储单元？以行为单位，每次刷新一行存储单元

——为什么要用行列地址？

用行列，可以介绍选通器的数量

3. 如何刷新？以行为单位，每次刷新一行存储单元

4. 在什么时刻刷新？

减少选通线的数量 有硬件支持，读出一行的信息后重新写入，占用1个读/写周期（刷新相对于进行了读操作）

刷新的方式（三种思考方式）：

1.每次读写完就刷新2.刷新单独3.每行刷新一次

注：刷新”由存 储器独立完成，不需要CPU控制

 1.4DRAM的地址线复用技术

第一次采用行地址，第二次采用列地址，再到列地址编码器。

DRAM的地址线复用技术优点：导致地址线、地址引脚减半

2.1只读存储器ROM

RAM芯片——易失性，断电后数据消失

ROM芯片——非易失性，断电后数据不会丢失

2.2各种ROM

MROM-掩模式只读存储器

特点：

在芯片生产过程中直接写入信息，之后任何人不可重写（只能读出）

可靠性高、灵活性差、生产周期长、只适合批量定制

PROM-可编程只读存储器

特点：

可以让用户自己写一次，但写完一次后不可更改。

EPROM—可擦除可编程只读存储器

特点：之后用某种方法擦除数据，可进行多次重写

EPROM分类：1.UVEPROM 2.EEPROM

UVEPROM

特点：用紫外线照射，可以反复擦除，但一次擦除所有信息，故灵活性不好。

EEPROM

特点：可用“电擦除”的方式，擦除特定的字

Flash Memory —闪速存储器（注：U盘、SD卡就是闪存）

特点：每个存储元只需单个MOS管，位密度比RAM高（体积更小），可进行多次快速擦除重写

注意：由于闪存需要先擦除在写入，因此闪存的“写”速度要比“读”速度更慢。

SSD（Solid State Drives）—— 固态硬盘

特点：由控制单元+存储单元（Flash 芯片）构成，与闪速存储器的核心区别在于控制单元不一样，但存储介质都类似，可进行多次快速擦除重写。

拓：手机辅存也使用Flash芯片，但相比SSD使用的芯片集成度高、功耗低、价格贵

2.3计算机内的重要ROM

由于RAM是易失性的，故关键后背删除所有信息。虽然：CPU的任务： 到主存中取指令并执行指令。但是CPU很傻，只能有指令才能行动，故要开机后有信息，就必须要将操作系统安装在辅存上，主板上的BIOS芯片（ROM）， 存储了“自举装入程序” ，负责引导装入操作系统（开机）。

逻辑上，主存由RAM+ROM组成， 且二者常统一编址。

注意： 

• 随ROM叫只读，但EPROM、Flash、SSD都可以继续写操作。
• 闪存的写速度一般比读速度更慢，因为写入前要先擦除
• RAM芯片是易失性的，ROM芯片是非易失性的。很多ROM也具有“随机存取”的特性