瑶芯技术分享 | 多层外延技术超结MOSFET应用

前言

随着新能源、电动汽车、人工智能等产业蓬勃发展，一定程度上带动了功率器件尤其是超结（SJ）MOSFET的强劲需求。以瑶芯微为代表的国产半导体新锐品牌，顺势推出基于超级结多层外延技术的全新G2.5平台超结MOSFET。

瑶芯微基于G2.5平台推出两大电压等级(600V&650V）、多个封装系列的SJ MOSFET。其中采用TOLL封装的多款产品已实现量产，其紧凑的体积、较低的封装电阻和寄生电感、优秀的散热性能、高电流承载能力，可提高开关速度、降低成本，并能提高系统效率和可靠性等方面，在各种消费级、工业级和车规级功率电子场景中得到广泛应用。

G2.5平台SJ MOSFET相关特性

G2.5平台SJ MOSFET通过调节垂直PN结的浓度分布，充分利用超结结构的电荷平衡，同时优化终端结构，在满足击穿电压的同时极大降低了比导通电阻，使得在较小的TOLL封装里能容纳更小的电阻规格，满足应用设计人员对更高功率密度的需求，并且实现了优异的电学性能。

为了适应高频小型化应用场景，减小PCB寄生杂感带来的影响。G2.5平台SJ MOSFET优化栅极结构，降低输出电容，减小开关损耗，同时优化反向恢复能力，减小反向恢复带来的振荡。以Toll封装的AK3S60N355TMF（600V 35.5mΩ）为代表的SJ MOSFET，相比上一代栅电荷（QG）下降了20％，Coss减小了40%，关断时间（TOFF）减少了60％，大幅减小寄生参数带来的损耗，提升系统效率。

在高频高功率密度开关电源中，为了提高效率，通常采用零电压ZVS软开关技术(LLC、PSFB等)。由于新一代SJ MOSFET Coss的大幅减小，使得在ZVS软开关过程中，COSS电容的充放电时间更短，可缩短桥臂上下死区时间，减少额外的损耗。此外，采用Toll封装的新一代SJ MOSFET，通过额外的开尔文连接，不仅优化了外围电路的设计，而且不受源级寄生杂感的影响，减小了栅极振铃以及避免了环路相互干扰的问题，进一步提升了产品的稳定性。

SJ MOSFET相关参数

以AK3S60N355TMF为代表的新一代G2.5平台SJ MOSFET主要参数如图1所示。

图1 AK3S60N355TMF基本参数

AK3S60N355TMF 品质因数FOM（导通电阻（RDS(on)）和‌栅极电荷（‌Qg）的乘积，即FOM = RDS(on) x Qg）性能如表1所示，与欧美一线厂商最新水平相当，采用稳健的多层外延技术，功率密度达到国际一流水准。

SJ MOSFET应用表现

在某公司2kW通信电源应用中，全桥LLC部分采用4颗AK3S60N355TMF，实测效率如下：

瑶芯微多层外延技术超结MOS系列产品，具有内阻低，抗冲击能力强，结电容低，可靠性高，品质稳定等特点。目前该系列产品已与众多客户合作，助力客户制造更优质电源。