ROM、RAM、FLASH、DDR、EMMC的简单解释

本文详细介绍了ROM、PROM、EPROM、EEPROM、RAM(包括SRAM和DRAM)、SDRAM/DDR以及FLASH(NOR和NAND)的区别和应用,重点阐述了eMMC在移动设备中的角色及其优势。此外,还提到了eMMC在智能电视中的使用和新型编程器的发展趋势。
摘要由CSDN通过智能技术生成

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一、ROM:只读存储器,内容写入后就不能更改了,制造成本比较低,常用于电脑中的开机启动如启动光盘bios,在系统装好的电脑上时,计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存,然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。

        PROM:可编程程序只读存储器,但是只可以编写一次。

        EPROM:可抹除可编程只读存储器,可重复使用。

        EEPROM:电子式可抹除可编程只读存储器,类似于EPROM但是摸除的方式是使用高电场

        完成。


二、RAM:随机存取存储器,也叫主存,是与CPU直接交换数据的内部存储器,可以随时读写,而且速度快,通常作为操作系统或其他正在运行程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定地址写入或读出信息。他与ROM的最大区别是数据的易失性,断电丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。手机和电脑的运行内存都是使用ram为存储空间,内存条的作用是增加运行ram空间。     
    SRAM:静态随机存储器,SRAM存放的信息在不停电的情况下能长时间保留,状态稳定,不需外加刷新电路,从而简化了外部电路设计。常作为Cache。
    DRAM:动态随机存储器,DRAM与SRAM相比具有集成度高、功耗低、价格便宜等优点,所以在大容量存储器中普遍采用。DRAM的缺点是需要刷新逻辑电路,且刷新操作时不能进行正常读,写操作。常作为主存储器。
    SDRAM:同步动态随机存取内存。就是DDR,被分为DDR1、DDR2、DDR3。


三、FLASH:是一种非易失性内存,闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存,只要停止电流供应内存中的数据便无法保持,因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据,其存储特性相当于硬盘,这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。Flash分为nor flash和nand flash。
    NOR FLASH:它的特点就是可以在芯片内执行,应用程序可以直接在闪存中运行,不必把代码读入系统RAM。在1~16M下的小容量有很高的的成本效益,但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。他的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样。
    NAND FLASH:Nand-flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。读取是以一次读取一块的形式来进行的,通常是一次读取512个字节。用户不能直接运行NAND Flash上的代码,因此好多使用NAND Flash还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。


四、eMMC:  eMMC 存储器 eMMC (Embedded Multi Media Card) 为MMC协会所订立的,eMMC 相当于 NandFlash+主控IC ,对外的接口协议与SD、TF卡一样,主要是针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器,它提供标准接口并管理闪存,使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分,并缩短向市场推出产品的时间。这些特点对于希望通过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说,同样的重要。
        eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成,带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备(Nand Flash)及主控制器,所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒52MBytes,eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是 1.8v 或者是 3.3v。
    现在很多智能电视已经逐步抛弃Nor或Nand,使用更为先进的eMMC芯片,然而普通编程器无法读写eMMC芯片,新开发的可支持eMMC芯片烧写的编程器性价比高,还能支持Nor、Nand芯片,支持全面、功能强大。

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