一文看懂NAND、eMMC、UFS、eMCP、uMCP、DDR、LPDDR及存储器和内存区别

NAND Flash

• 类型：闪存存储器
• 特点：非易失性存储，用于大容量数据存储，如SSD、USB闪存驱动器等。
• 应用举例：固态硬盘（SSD）、USB闪存驱动器、存储卡（如SD卡）。

eMMC (Embedded MultiMedia Card)

• 类型：集成式存储卡
• 特点：集成闪存存储和控制器，用于嵌入式系统和移动设备，提供简单的接口和高度集成。
• 应用举例：智能手机、平板电脑、嵌入式系统的存储。

UFS (Universal Flash Storage)

• 类型：通用闪存存储
• 特点：高速数据传输、低延迟、用于高性能移动设备和存储设备。
• 应用举例：高端智能手机、平板电脑、高性能嵌入式系统。

eMCP (Embedded Multi-Chip Package)

• 类型：集成多芯片封装
• 特点：组合多种存储和内存解决方案（如闪存和RAM），提供更高的性能和集成度。
• 应用举例：智能手机、平板电脑、嵌入式系统需要高性能存储和内存的场合。

uMCP (Ultra Multi-Chip Package)

• 类型：超高集成多芯片封装
• 特点：整合高容量闪存和高速RAM，提供最高性能和存储密度。
• 应用举例：高端智能手机、高性能平板电脑、需要大容量存储和高速内存的应用。

DDR (Double Data Rate)

• 类型：动态随机存取存储器（DRAM）
• 特点：高速数据访问、用于计算机内存、图形处理器等需要高带宽的应用。
• 应用举例：台式计算机、服务器、高性能游戏主机。

LPDDR (Low Power Double Data Rate)

• 类型：低功耗动态随机存取存储器（低功耗DRAM）
• 特点：低功耗、高性能，适用于移动设备和便携式电子设备。
• 应用举例：智能手机、平板电脑、笔记本电脑等需要低功耗和高性能的应用。

存储器和内存的区别

• 存储器：用于长期数据存储和检索，通常是非易失性的，如闪存存储器（NAND、eMMC、UFS）。
• 内存：用于临时数据存储和快速访问，是易失性的，如DRAM（DDR、LPDDR）。

进一步论述

NAND Flash

• 存储容量：通常从4GB到2TB不等。
• 读取速度：通常在200 MB/s到2000 MB/s之间。
• 写入速度：通常在100 MB/s到1500 MB/s之间。
• 擦除周期（TBW - Terabytes Written）：从几百TB到数PB。
• 工作温度范围：-40°C 到 +85°C。

eMMC (Embedded MultiMedia Card)

• 存储容量：通常从4GB到256GB。
• 读取速度：最高可达400 MB/s。
• 写入速度：最高可达300 MB/s。
• 数据传输速率：通常200 MHz（全速）。
• 工作温度范围：-25°C 到 +85°C。

UFS (Universal Flash Storage)

• 存储容量：通常从32GB到1TB。
• 读取速度：最高可达2.9 GB/s。
• 写入速度：最高可达1.8 GB/s。
• 延迟：通常在10 ns以下。
• 功耗：低功耗设计适合移动设备。
• 工作温度范围：-30°C 到 +85°C。

eMCP (Embedded Multi-Chip Package)

• 存储容量：组合闪存和RAM的容量，通常从4GB+1GB到256GB+8GB。
• 读取速度：闪存部分最高可达300 MB/s，RAM部分可达20 GB/s。
• 写入速度：闪存部分最高可达150 MB/s，RAM部分可达10 GB/s。
• 数据传输速率：整体数据传输速率可达6.4 GB/s。
• 工作温度范围：-25°C 到 +85°C。

uMCP (Ultra Multi-Chip Package)

• 存储容量：整合了高容量的闪存和RAM，通常从16GB+2GB到512GB+16GB。
• 读取速度：闪存部分最高可达1.4 GB/s，RAM部分可达40 GB/s。
• 写入速度：闪存部分最高可达150 MB/s，RAM部分可达15 GB/s。
• 数据传输速率：整体数据传输速率可达11.6 GB/s。
• 工作温度范围：-30°C 到 +85°C。

DDR (Double Data Rate) 和 LPDDR (Low Power Double Data Rate)

• 存储容量：通常从1GB到32GB。
• 内存频率：通常从1600 MHz到6400 MHz。
• 时序：
  • CL (CAS Latency)：通常从9到22个时钟周期。
  • tRCD (RAS to CAS Delay)：通常从9到22个时钟周期。
  • tRP (Row Precharge Time)：通常从9到22个时钟周期。
• 电压：通常为1.2V。
• 工作温度范围：-40°C 到 +85°C。