【模电学习】N型半导体和P型半导体以及PN结

引言

在现代电子学中，半导体技术扮演着核心角色。特别是N型和P型半导体，它们是许多电子设备和系统的基石，如晶体管、太阳能电池和各种类型的二极管。理解N型和P型半导体的基本原理对于深入掌握电子学至关重要。

P型半导体和N型半导体

N型半导体

N型半导体是通过向纯净的硅或锗中加入少量的五价元素（如磷、砷或锑）来制造的。这些杂质原子有五个外层电子，它们与硅或锗的原子共享四个电子，留下一个额外的自由电子。这个额外的电子增加了材料的导电性，因为它可以轻易地在晶格中移动。在N型半导体中，电子是主要的载流子，负责电流的传导。

 P型半导体

与N型半导体相对，P型半导体是通过将三价元素（如硼、镓或铝）掺杂到纯硅或锗中制成的。这些杂质原子有三个外层电子，无法完全填满与硅或锗原子的共价键。因此，会在晶格中产生“空穴”，即缺少电子的位置。这些空穴可以被相邻的电子填补，从而在材料中移动，形成电流。在P型半导体中，空穴是主要的载流子。

PN结

PN结的构成

当N型和P型半导体结合时，会形成一个P-N结，这是许多半导体设备的基本构造。在这个结合区域，电子和空穴相互结合，形成一个叫做耗尽区的区域。耗尽区对电流的流动起着重要的控制作用，在晶体管和二极管中尤为重要。

空间电荷区形成的原因

因为P区与N区交界处电子和空穴的浓度不一，造成了各区的多子会向另外一区移动的扩散运动。

首先，内电场的方向是阻碍扩散运动的。其次，又吸引另外一区的少子来本区。此现象成为漂移运动。

（简单整理为：①多子才会发生扩散运动，电子从N区扩散至P区，空穴从P区扩散至N区。②少子才会发生漂移运动，空穴从N区漂移至P区，电子从P区漂移至N区。）

  最终，漂移运动与扩散运动相平衡。P区、N区交界处的正负电荷趋于稳定，这块范围称为空间电荷区。

由于空间电荷的分布，PN结内部形成一个内电场，内电场方向如图2-2所示。（内电场又称自建电场）