STM32笔记之NORFLASH,NANDFLASH,EEPROM大体认识

EEPROM , FLASH

首先我们了解一下内存的分类（从上到下越来越远离cpu，同时单位造价越来越便宜）

1. CPU寄存器
2. cpu内的缓存（可以有好几级）（cache）
3. 内存（SRAM、DRAM、DDRAM）
4. 外存（Flash、PROM、EPROM、EEPROM）
5. 存储器（U盘、光盘、SD卡）

一般EEPROM,FLASH都用来做单片机的“硬盘”。首先我们来看看EEPROM和FLASH的区别。

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）和FLASH（Flash Memory）都是非易失性存储器，意味着它们在断电后仍能保持数据，但它们有一些关键区别：

1. 数据存储和擦除方式：
   • EEPROM：可以按字节（或更小的单位）进行读写和擦除。这使得EEPROM非常适合需要频繁修改少量数据的应用，如存储配置参数。
   • FLASH：通常按块（通常是几百到几千字节）进行擦除，但可以按字节或字进行读写。由于擦除是按块进行的，这在频繁写入时会带来一些不便。
2. 速度：
   • EEPROM：读写速度相对较慢，但在需要频繁小量写入操作时表现良好。
   • FLASH：读写速度较快，特别是读取速度，但在需要频繁修改小量数据时效率不如EEPROM。
3. 耐久性：
   • EEPROM：一般的写入和擦除次数在10万到100万次左右。
   • FLASH：擦写次数通常在1万到10万次左右，使用寿命较EEPROM稍短。
4. 成本和容量：
   • EEPROM：制造成本较高，通常容量较小（几百字节到几兆字节）。
   • FLASH：制造成本较低，容量大得多（从几兆字节到几百兆字节），这使得它成为大容量存储应用（如固态硬盘和USB闪存）的首选。
5. 应用场景：
   • EEPROM：适用于存储需要频繁更新的配置信息、校准数据等。
   • FLASH：适用于大容量数据存储，如操作系统、程序代码、固件更新等。

总结，EEPROM和FLASH各有优缺点，选择哪种存储器取决于具体应用的需求。

NOR FLASH, NAND FLASH

其次，我们来看看NOR FLASH和NAND FLASH的区别

NOR Flash和NAND Flash都是Flash存储器的两种主要类型，它们在结构、性能、用途等方面有明显的区别：

1. 架构和工作原理：

   • NOR Flash：使用的是“字”级别的地址访问架构，类似于传统的SRAM和EPROM，可以直接寻址并读取每一个字节的数据。其内部连接类似于一个大的逻辑门阵列，使其读取速度非常快。
   • NAND Flash：使用的是“页”级别的地址访问架构，数据存取以块和页为单位。其内部连接类似于一个大的串联门阵列，读取和写入都需要更复杂的控制器管理。
   • 读写区别：NOR闪存是由Intel公司开发的，是一种随机访问设备，具有专用的地址和数据线（和SRAM类似），以字节的方式进行读写，允许对存储器当中的任何位置进行访问。而NAND闪存则没有专用的地址线，不能直接寻址，是通过一个间接的、类似I/O的接口来发送命令和地址来进行控制的，这就意味着NAND闪存只能够以页的方式进行访问。NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储，所以NAND FLASH在进行存储，读出的时候，都是以“块”“页”，为单位的，而不是一个字节一个字节的去读写。

2. 性能：

   • NOR Flash：读取速度非常快，适合用于需要快速随机读取的应用，如代码存储和执行。然而，写入和擦除速度相对较慢。
   • NAND Flash：写入和擦除速度较快，读取速度较慢，但在大容量顺序读取时性能优异。这使其非常适合大容量数据存储和快速写入的应用，如存储多媒体文件。

3. 容量和成本：

   • NOR Flash：单位存储容量较小（一般在几MB到几百MB），成本较高。适合小容量、高可靠性的存储需求。
   • NAND Flash：单位存储容量较大（从几GB到几TB），成本较低。适合大容量、成本敏感的存储需求。

4. 擦写寿命：

   • NOR Flash：一般具有较高的擦写寿命，但在实际使用中，写入和擦除频率有限。
   • NAND Flash：擦写寿命相对较短，但现代NAND Flash通常使用磨损均衡算法来延长使用寿命。

总结：NOR Flash和NAND Flash各自擅长于不同的应用领域。NOR Flash适合需要快速随机读取的应用，而NAND Flash则适合大容量、顺序读写的应用。