逆变器笔记

知识点补充：IBGT栅极电压控电流。

栅极为正，NPN结构，电流从集电极到发射级

栅极为负，PNP结构，电流从发射级到集电极。PMOS的导通条件是Vgs小于Vth，一般为负，即Vg-Vs小于0 。

推挽电路上管为N，下管为P。

基尔霍夫电压定律：

逆变器电路基本结构：

前期升压整流滤波。

芯片驱动，如SG3525，输出信号经过推挽电路的放大作用，增强驱动能力，输出信号再给后级电路。

升压：通过PWM信号控制上下MOS管的导通和关断产生交变电压，通过变压器的产生交变的磁场，再在变压器次级产生交变电压，经过桥式整流滤波得到直流电压。1A=500uF

死区时间：合适，小了尖峰大，大了效率低。1.2-1.3us。

串联谐振回路：输入方波，输出正弦波。解决高压谐振引起的波形变化的方法；变压器次级加电容。

在变压器次级加入开机缓冲电路。

后期驱动H桥式电路和短路保护。

芯片驱动：APR9019驱动IR2110S来输出50hz驱动信号，20khz驱动信号，驱动IBGT（需要较大电流）。

自举电容：在驱动IBGT时候，VCC给自举电容充电，上管导通，发射级浮地，在此加入的自举电容的电压也会到上管的集电极电压。

短路保护电路设计：1.利用电流取样，驱动放大器输出信号给IR2110S来控制高频臂。

1. 当逆变器短路，IBGT的饱和压降（Uce）迅速增大。可以通过集电极发射级的输出电压比较来保护。

选择合适的MOS管和IBGT：主要是耐压，限流，导通电阻。

根据输入功率，输入电压，输出电压，效率，算出电流，浪涌电流考虑是电流的五倍。

耐压选择：耐压越高，导通电阻越大，功率越低。耐压选两倍以上。

后级耐压同理两倍以上。母线上的限流P=UI，再是五倍来选择。

单片机的控制电路：位置前级驱动卡。驱动控制蜂鸣器，振动管...