POC电路S参数测试以及ANSYS SIWAVE的仿真

一、名词介绍

端口2匹配时候，端口1的回波损耗（S11），由于阻抗不匹配产生。实际测试中，是信号从网分仪端口到端口本身这一段的信号损耗。计算公式是dB=-10log(P0/P1)。一般来说，越小越好。

端口2匹配时，端口1到2的插入损耗（S21），在加入东西后，发射机和接收机之间的信号衰减。在利用插损滤波时候，一般希望插损大一些，来消除干扰。:

二、测试方法

需要将POC电路隔离出来，在信号的输出端到截止端加上网分仪端口。

需要在测试前先进行端口的校0，此处若是需要带某一电流测试，需要先接入电源，加上负载后校0，在此基础上将PORT接入待测电路。

三、ANSYS SIWAVE的仿真

1.以AD为例，将PCB文件导出为ANF格式，在siwave中导入。

然后完成板端参数设置，包括PCB材料厚度，过孔性质等，调整完一切OK后，再导入对应器件模型，单机元件编辑属性，在assignment创建类以及更新。

2.在tools->generate circuit element创建port，然后compute SYZ得到结果。

3.SIWAVE还可以进行电源完整性仿真等等。

如有不当欢迎指正。