中文资料IRFB4227PBF 电桥驱动器驱动芯片

IRFB4227PBF
规格信息：

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:200 V

Id-连续漏极电流:65 A

Rds On-漏源导通电阻:24 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:30 V

Qg-栅极电荷:70 nC

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:330 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值:49 S

下降时间:31 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:20 ns

工厂包装数量:1000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:21 ns

典型接通延迟时间:33 ns

零件号别名:SP001565892

单位重量:6 g

IRFB4227PBF 是由Infineon Technologies（英飞凌科技）制造的一款功率半导体器件，它是一种高性能N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、高耐压和高速开关特性，适用于各种高效率和高频率的电源转换和驱动应用。
 
主要特点：
1. 高性能N沟道增强型MOSFET：提供高效能和高可靠性的电源转换和驱动解决方案。
2. 高耐压：可承受高达100V的电压，适用于各种高压应用。
3. 低导通电阻：典型的导通电阻值为0.42Ω（最大值为0.55Ω），在高电流应用中可实现低损耗和高效率。
4. 高速开关特性：快速开关时间和低开关损耗，有助于提高系统工作效率和减小外部元件尺寸。
5. 封装形式：TO-252-3L（DPAK）封装，具有良好的散热性能，适用于高功率应用。
 
IRFB4227PBF 可广泛应用于各种电源转换和驱动领域，如开关电源、逆变器、电机驱动、LED照明等。其高性能和高可靠性使其成为追求高效率和高功率密度的电源系统设计的理想选择。

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