中文资料FDN359BN MOS场效应管全系列现货供应

FDN359BN
规格信息：

制造商:ON Semiconductor

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SSOT-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:2.7 A

Rds On-漏源导通电阻:46 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:500 mW (1/2 W)

配置:Single

通道模式:Enhancement

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.12 mm

长度:2.9 mm

产品:MOSFET Small Signal

系列:FDN359BN

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:1.4 mm

商标:ON Semiconductor / Fairchild

下降时间:5 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:20 ns

典型接通延迟时间:7 ns

单位重量:30 mg

FDN359BN的主要特点如下：
 
1. 高性能N沟道FET：FDN359BN采用先进的沟槽栅极技术，具有低导通电阻、高速开关性能和高耐压等特点。
 
2. 高耐压：该FET的漏源电压(Vds)可达300 V，适用于高压系统应用。
 
3. 低导通电阻：FDN359BN的典型导通电阻(Rds(on))仅为17 mΩ，可实现高效能和低功耗的电路设计。
 
4. 高开关频率：FDN359BN具有快速开关特性，适用于高频开关电源和逆变器等应用。
 
5. 封装形式多样：FDN359BN提供多种封装形式，如TO-220、TO-263、D2PAK等，以满足不同应用需求。
 
总之，FDN359BN是一款高性能、高耐压、低导通电阻的N沟道增强型场效应晶体管，适用于各种电子和电气系统的设计。

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