铨力授权一级代理 AP2022S N沟道功率MOSFET

已于 2024-10-08 16:02:28 修改
阅读量95 收藏
点赞数 3
文章标签： 经验分享
于 2024-10-08 16:00:10 首次发布
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/2401_87874190/article/details/142762111
版权

描述：

 

AP2022S采用先进的沟槽技术

 

提供优异的Rosow、低栅极电荷和低至1.8 V的栅极电压操作

 

该器件适用于负载开关或PwM应用

 

特征：

 

Vos= 20V,ID =12A

 

RDS（ON）<11mΩ＠VGS=4.5V

 

RDS（ON）<14mΩ＠VGS=2.5V

 

高功率和电流处理能力

 

无铅产品

 

获得表面安装封装

 

应用：

 

单向负载开关

 

双向负载开关

 

恒锐丰科技专业电源芯片
关注
AP9997GK-VB一款N沟道SOT223封装MOSFET应用分析
11-17
AP9997GK-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道沟槽场效应晶体管（TrenchFET）MOSFET，其主要特点包括无卤素设计，符合IEC 61249-2-21标准，最高结温可达175°C，并且满足RoHS 2002/95/EC指令。这款MOSFET采用小型SOT223...
AP85U03GH-HF-VB一款N沟道TO252封装MOSFET应用分析
11-24
AP85U03GH-HF-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO252封装，设计用于高效能电源管理应用。这款MOSFET的特点是其TrenchFET技术，这是一种通过在硅片上蚀刻深沟槽来优化器件性能的技术，能够提供更低的电阻和更高的开关速度，...
AP2306AGEN-VB一种N沟道SOT23封装MOS管
VBsemi_MOS的博客
01-08 416
AP2306AGEN-VB是一款N沟道场效应晶体管（MOSFET），适用于中功率开关和电源控制。- 在中功率开关模块中，用于控制电路的导通和切断，适用于中等功率设备。- 在电源控制模块中，用于实现电源的开关和调节，适用于中功率电子设备。- 丝印VB1330对应AP2306AGEN-VB，确保正确识别。**AP2306AGEN-VB 详细参数说明和应用简介：**- 在规定的电压和电流范围内使用，以防损坏设备。- 丝印：VB1330。- **使用注意事项：**- **应用简介：**- **应用领域：**
AP9431GH-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
09-21 333
3. **LED照明系统：** 由于AP9431GH-VB具有高耐压和大电流特性，可用于LED照明系统中的电源开关和电流调节，如LED驱动器、照明控制器等。4. **电源逆变器：** 在太阳能逆变器、UPS（不间断电源）等电源逆变器中，AP9431GH-VB可用于功率开关和电流控制，帮助实现直流到交流的转换。2. **电动汽车驱动系统：** 在电动汽车驱动系统中，该器件可用于电动汽车电机控制器中的电流控制和功率开关，确保电动汽车的高效运行和性能。**应用领域和模块举例：****详细参数说明：**
AP9979GH-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
09-21 322
3. **LED 灯具驱动**：在 LED 灯具和显示屏的驱动电路中，AP9979GH-VB 可以提供稳定的功率传输和电流控制，确保 LED 光源的稳定亮度。2. **电机控制**：在需要控制高电流电机的电路中，该器件可以作为电机驱动器中的开关元件，实现高效能的电机控制和驱动。4. **开关电路**：在高压开关电源、逆变器和变换器中，该器件的优异特性可以确保高效能的能量转换和稳定的开关操作。1. **电源管理模块**：AP9979GH-VB 适用于高压电源管理模块，如电池管理系统和高压稳压器。
南京观海微电子----N沟道vs P沟道MOSFET
m0_72563973的博客
06-18 923
当我们在栅极端施加正电压时，静电作用会吸引少数载流子，即p型区的自由电子，从而形成静电负杂质离子。如果你使用的是3.3V的电路板，确保你使用的MOSFET与3.3V开关兼容。当在漏极和源之间施加电压时，电流在它们之间自由流动，栅极电压控制通道中的电子。，电源连接到一个正电压，当栅极上的电压降到某个阈值（Vgs 0）以下时，FET就会导通。这意味着，如果你想用一个P沟道MOSFET开关高于5V的电压，你需要另一个晶体管（某种类型）来打开和关闭它。在更高的负载下，P沟道MOSFET会比N沟道MOSFET更热。
AP9431GH-HF-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
09-21 364
5. **电流控制器**: 在电机控制、电流检测和限制等应用中，AP9431GH-HF-VB 可用作电流控制器，实现高精度的电流调节和保护功能。3. **电动车驱动器**: 由于其高耐压和高电流特性，AP9431GH-HF-VB 可用于设计电动车的驱动器，实现电机的高效率和高功率输出。4. **DC-DC 变换器**: 在太阳能逆变器和工业控制系统中，该器件可用于设计高效率的 DC-DC 变换器，实现能源的转换和利用。- **门源极电压 (VGS)**: 10V (推荐), 20V (最大)
AP9870GH-HF-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
09-21 418
它具有高电压和高电流的特性，适用于各种功率控制和开关电路。4. **电源逆变器**：在太阳能逆变器和UPS系统等电源逆变器中，AP9870GH-HF-VB可用于开关电路和功率放大器，实现高效的电能转换和电网接入。1. **电源管理模块**：由于具有高电压和电流能力，可用于电源管理模块中的电压调节和功率放大电路，如DC-DC转换器、电池管理系统等。3. **电机驱动器**：适用于工业控制和汽车电子领域，用于电机驱动器模块中，控制各种类型的电机，如直流电机、步进电机等。- 最大门源电压：20V。
AP2304GN-VB一款N—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
03-14 345
AP2304GN-VB适用于多种电源模块和功率管理模块，在需要N沟道功率开关的领域中具有卓越性能。其低导通电阻和高频特性使其在电源转换、稳压和功率调节中得到广泛应用。2. 电池管理系统：在充电和放电控制电路中，实现高效的能量转换。1. 电源模块：用于DC-DC转换器，适用于各种电源供应设计。4. 电源开关：作为开关器件，广泛用于各种开关电源设计。3. 电机控制：适用于直流电机和步进电机的驱动控制。- 阈值电压：0.45~1V。- 封装：SOT23。- 沟道类型：N沟道。- 额定电压：20V。
AP2307N-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi的博客
03-14 344
1. **电源管理模块：** 由于是P-Channel沟道晶体管，AP2307N-VB可用于电源管理模块中的负极控制，适用于负电压应用。AP2307N-VB是VBsemi品牌的SOT23封装的P-Channel沟道场效应晶体管。2. **功率逆变器：** 可用于功率逆变器的开关控制，支持负电压和较高电流的需求。3. **电流控制模块：** 适用于需要负电流控制的模块，如电流源、电流放大器等。- 阈值电压（Vth）：-0.81V。- 工作电压：-20V。- 额定电流：-4A。
AP2614GY-HF-VB一款N—Channel沟道SOT23-6的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
09-21 362
3. **LED照明：** 在LED照明应用中，AP2614GY-HF-VB可用于LED驱动电路中的电流调节和功率开关。2. **电机驱动：** 在电机驱动系统中，AP2614GY-HF-VB可以作为电机控制器，用于控制电机的启停和速度调节。1. **电源管理：** AP2614GY-HF-VB可用于电源管理模块中的功率开关和稳压器。- **漏极-源极电阻(RDS(ON))：** 30mΩ @ VGS=10V。- **门极-源极电压(VGS)：** 10V。- **封装：** SOT23-6。
AP2302N-VB一款N-Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
04-09
AP2302N-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具有低导通电阻、高可靠性以及宽工作温度范围的特点。该器件适用于多种电子设备中的开关应用，如DC/DC转换器和便携式...
AP9962AGM-VB一款2个N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
04-10
AP9962AGM-VB内部集成了两个独立的N沟道MOSFET，每个MOSFET都有自己的源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。这种设计使得器件可以独立控制每个MOSFET，适用于多种应用场景。 - **栅极电阻 (Rg)**：确保了快速且稳定的...
AP9973GM-VB一款2个N-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
04-11
AP9973GM-VB是一款采用SOP8封装的双通道N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款MOSFET具有60V的额定耐压值、每通道最大6A的连续电流能力以及低至27mΩ的导通电阻（在VGS=10V时测量），适用于多种...
研发中台拆分之路：深度剖析、心得总结与经验分享
2301_77700816的博客
10-09 1250
这里的中台架构不是平台，也不是微服务，使用的是微服务架构，这两个是不一样的概述。中台建设开源项目 alinesno-cloud 开始，社区建议沉淀和企业实践 3 年左右，于 21 年进行拆分，指导思想为轻中台，小前台，大平台，为了更适应行业发展，更好的企业落地，整合出新中台模型，每个企业中台建设不一，这里针对的是自己带队建设过程，我有我思。以上为中台拆分过程的一些过程和思路，每个架构师或者技术负责人有自己的思路，上面是自己在整合过程的总结。
逆变器PQ控制模型、逆变器并网模型（Simulink） 直流侧电压650V～2000V均可 交流测电压为380V 有功功率和无功
10-10
逆变器PQ控制模型、逆变器并网模型（Simulink） 直流侧电压650V～2000V均可 交流测电压为380V 有功功率和无功功率可达10kW或10kVar，甚至更高
SpringBoot+Vue工厂生产设备维护管理系统答辩PPT.ppt
10-10
计算机毕业设计答辩PPT
CPA 税法 马兆瑞 基础班 第10章-本章概述-PPT-8页.pdf
最新发布
10-10
CPA 税法 马兆瑞 基础班 第10章-本章概述-PPT-8页.pdf
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值