南京观海微电子----N沟道vs P沟道MOSFET

最新推荐文章于 2024-10-15 08:00:00 发布
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Ⅰ MOSFET的结构

AMOSFET的结构类似于场效应晶体管。在与栅极端子连接的衬底上沉积氧化层。因为这个氧化层充当绝缘体（与衬底绝缘），所以MOSFET也被称为IGFET。在制造mosfet时，轻掺杂衬底与重掺杂区域扩散。它们被分类为P型或者N型mosfet基于所使用的基板。


 

下图显示了MOSFET的结构。

图片

MOSFET的工作由栅极电压控制。因为栅极与沟道隔离，所以可以对其施加正负电压。当栅偏压为负时，它充当耗尽MOSFET；当栅偏压为正时，它充当增强MOSFET。

ⅡMOSFET符号

图片

图片

所有MOSFET上都有栅极（G）、源极（S）和漏极（D）引脚。栅极和源极之间的电压决定电流是否流过源极和漏极。每种类型都有开关MOSFET的逻辑，


 

如果一个MOSFET在Vgs在3到5伏范围内完全开启，它被归类为逻辑电平MOSFET。如果使用5V的Arduino板，所有逻辑电平的MOSFET都应该没问题。如果你使用的是3.3V的电路板，确保你使用的MOSFET与3.3V开关兼容。

mosfet通常需要vg为10V或更高才能完全开启。

Ⅲ NC沟道MOSFET 与PC

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MOS管怎么区分N沟道和P沟道呢
没有时间把一件事情做好，却有时间把一件事情反复做
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MOS管导通的时候，沟道是什么类型的就是什么沟道，比如源漏都是N型的，那么MOS管要导通，沟道必须也是N型的才能把源漏连接起来进行导电，所以最简单的判断就是看源漏是什么类型掺杂的，就是什么类型的沟道。当然上面说的这些是针对你初学半导体器件时候知道器件截面图时用来判断的，如果是实际的产品的话，就看栅压是加正压MOS管能导通，还是栅压加负压能导通，如果加正压能导通的就是N沟道MOS管，如果加负压能导通
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