铨力授权一级代理 APG060N12 N沟道增强型MOSFET

于 2024-10-11 20:17:42 发布
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版权

特征：

 

120V,100A

 

RDS（ON）<6.0mΩ＠VGS=10V TYP:5.5mΩ

 

RDS（ON）<8.0mΩ＠VGS=6V TYP:6.9mΩ

 

先进的沟槽电池设计

 

低热阻

 

应用：

 

电机驱动器

 

直流-直流转换器

恒锐丰科技专业电源芯片
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让一个模型处理多种数据的N种方法
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