silvaco仿真软件

最新推荐文章于 2024-06-20 17:10:44 发布

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本文探讨了仿真增强型纵向HEMT器件时观察到的负漏电流现象，质疑这是否由模型算法错误引起，分析了可能的原因和解决策略。

仿真增强型纵向hemt器件的输出特性曲线，为什么会出现这样的负漏电流，是模型算法错了吗？

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Silvaco TCAD LTPS双栅器件仿真收敛不了，有没有好的解决办法

zhydem的博客

04-20

1514

器件仿真控制语言如下： # (c) Silvaco Inc., 2013 go atlas TITLE polysilicon TFT simulation mesh nx=104 ny=55 # x.m n=1 l=0 r=1 x.m n=104 l=16 r=1 # # y.m n=1 l=-0.12 r=1 y.m n=24 l=0 ...

silvaco——GaN HEMT探索

weixin_61913839的博客

12-20

6802

上图为输出特性曲线，分别是在栅压为1v、3v、5v的情况下，可以看出在1v时器件处于截止状态，只有非常小近似于0的电流通过，随着栅压逐渐增大，沟道开启，产生漏极电流。上图为栅极漏电流曲线和转移特性曲线以及其提取的参数，可以看到阈值电压为=1.30249V，当栅压为0v时，Id=8.01032e-006，当栅压为5V时，Ig=3.11627e-006。albrct.n，低场迁移率模型，bn.albrct，an.albrct是albrct模型中的参数，可以由用户自己设定。lat.temp，晶格自热模型；

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AlGaN GaN HEMT-silvaco代码

12-30

关于AlGaN GaN HEMT器件的silvaco仿真代码

半导体器件和工艺模拟：使用Silvaco设计构建PNP与NPN型BJT双极晶体管并分析特性

Clear Aurora的CSDN

07-02

1万+

使用Silvaco设计构建PNP与NPN型BJT双极晶体管并分析特性**第一步：**使用SILVACO软件设计一个PNP管，进行相应的工艺模拟与器件模拟，要求输出Gummel曲线及IC——VCE特性曲线，并调整相关参数，观察并分析各关键工艺步骤对晶体管性能的影响。一、用工艺软件ATHENA制作的PNP基本结构：二、PNP型三极管Gummel曲线：三、PNP型三极管共射极输出特性曲线：四、特性分析：由图可知，PNP型三极管基极导通电压Vbe约为-0.1V......

silvaco中ATLAS器件仿真

02-23

ATLAS是一个二维器件仿真工具，可用于仿真特定半导体器件结构的电学特性，并仿真器件工作时相关的内部物理机理。

Silvaco讲义

03-18

Silvaco讲义

silvaco讲义-微电子器件与工艺模拟实验讲义.zip

06-24

silvaco讲义-微电子器件与工艺模拟实验讲义.zip

silvaco（TCAD）击穿特性仿真，的不收敛问题

zm19992533002908的博客

05-30

4287

在silvaco仿真学习过程中，最近这段时间一直有一个很大的问题困扰着我，那就是我在仿真击穿特型曲线的过程中，在电压加到后期比较大的情况下，往往会出现仿真不收敛的情况，正常情况下器件的击穿应该在一个外加偏压上，电流出现迅速的上升，这才是击穿的定义，但是我仿真的过程中程序跑到一个较大的电压时，器件出现击穿，我观察电压电流曲线，在击穿电压（程序报告的）电流并没有出现迅速的变化，类似于下图这种形式。（2）解决方法，将初始电压调整到合适的值，这个值可能是更大的也可能是更小的，要注意多多尝试。

使用Silvaco对SiC JTE终端结构仿真时遇到的问题及解决方法

ys2623537070的博客

03-20

3385

电流太小，计算精度不够，还没得到可接受的精度软件就认为计算完成了，导致结果错误。例如图4中电子电离率不知道对应的是什么，可以查手册，搜索“cm-1"比对参数名称和中文可以找到，为N.io（感觉很简单，不知道为什么卡在这里那么久），同理可通过手册查到如何定义参数。我的看法：material定义材料参数，mobility修改模型参数，impact定义碰撞电离模型并修改参数。首先查手册，看默认值，再看参考文献的参考文献中的值。这篇文章带有强烈的个人色彩，并且解决的都是十分简单的问题，仅作为个人学习过程的记录。

Silvaco学习笔记（十四）——获取器件特性（毕设相关）

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qq_48136563的博客

03-30

1万+

在仿真开始时电极都是零偏的，之后才会按照设置的方式将电流或电压步进式地加上去。步进的步长是需要考虑的，步长太大容易不收敛（由于计算方法中的初始猜测策略）。电压和电流的施加使用solve状态，log和save 是将计算得到结果分别保存为日志文件和结构文件。Log语句需要在solve之前，这样solve的数据才能得到保存。

MOSFET基于silvaco实验仿真，主要研究其正向导通，反向导通，阈值电压的仿真曲线，以及不同的氧化层厚度，p区掺杂浓度

05-08

MOSFET基于silvaco实验仿真，主要研究其正向导通，反向导通，阈值电压的仿真曲线，以及不同的氧化层厚度，p区掺杂浓度对器件的影响，里面包括源码和对特性仿真曲线的详细分析。

HEMT例子4

Cherylzzx的博客

03-03

3096

讲真根本不知道什么是EB仿真什么是DD仿真估计是两种不同的模型得到的都是漏极电流和电压的关系 # (c) Silvaco Inc., 2015 go atlas # EB simulation # SECTION 1: Mesh input mesh x.mesh loc=0.0 spac=0.025 x.mesh loc=0.1 spac=0.025 x.mesh...

silvaco代码笔记（5）高斯分布掺杂仿真

asukadesu的博客

10-26

1万+

go atlas simflags="-p 4" mesh width=1000 x.mesh location=-2.5 spacing=0.5 x.mesh location=-1.2 spacing=0.1 x.mesh location=-1 spacing=0.05 x.mesh location=-0.5 spacing=0.1 x.mesh location=0 spacing=0.02 x.mesh location=0.25 spacing=0.01 x.mesh l

用于 GaN-HEMT 功率器件仿真的 TCAD 方法论

weixin_45293089的博客

11-03

3821

本文研究了使用技术计算机辅助设计（TCAD）方法对 GaN-HEMT 功率器件进行仿真的方法。该方法基于 imec 的功能完备的逼真 GaN-HEMT，旨在为 GaN 基器件技术建立准确的仿真工具、方法和模型，并与硬件数据进行基准测试。文章强调了与标准的硅和锗 TCAD 方法相比，GaN-HEMT 技术的准确 TCAD 仿真的额外复杂性，这是由于较低的晶体对称性和极化效应等因素造成的。与过去主要集中在硅和锗上的标准 TCAD 方法论相比，GaN-HEMT 技术为准确的 TCAD 仿真增加了额外的复杂性。

使用Nuwa TCAD软件仿真和设计增强型p-GaN HEMT器件

GMPT_001的博客

06-20

4162

第三代半导体材料GaN具有宽禁带、高电子饱和速度和良好导热性等优点，其中GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）具有高电场强度、高迁移率、良好热稳定性，在高频、大功率应用环境下具有突出优势。但大多数AlGaN/GaN HEMT都是常开型，在实际大功率开关应用中不够安全。因此，市场迫切需要AlGaN/GaN HEMT在保持低导通电阻的同时，实现常断工作。为了满足这些要求，本文引入p型GaN插入层结构，利用从p型栅端到二维电子气（2DEG）的空穴注入实现电导调制，有效地降低栅下沟道中的2DEG密度。

多结太阳电池器件仿真，通过silvaco仿真软件

最新发布

11-11

使用Silvaco仿真软件进行多结太阳电池器件仿真，一般可按以下步骤进行： ### 1. 软件环境准备确保Silvaco软件已正确安装和配置，熟悉软件的基本操作界面和工具。 ### 2. 建立器件结构使用Silvaco的Tsuprem4或Atlas模块来定义多结太阳电池的物理结构。 - **定义材料参数**：确定每一层的半导体材料及其特性，如禁带宽度、载流子迁移率、掺杂浓度等。例如，对于常见的多结电池材料GaAs、InGaP等，需准确设置其材料参数。 - **确定层结构**：按照多结太阳电池的实际结构，依次定义各子电池的有源层、窗口层、背场层等的厚度和位置。 ```python # 示例代码片段，用于定义层结构 region num=1 x.min=0 x.max=0.1 y.min=0 y.max=0.2 material=GaAs region num=2 x.min=0.1 x.max=0.2 y.min=0 y.max=0.2 material=InGaP ``` ### 3. 定义物理模型在Atlas模块中选择合适的物理模型来描述器件中的物理过程。 - **载流子输运模型**：如漂移 - 扩散模型，用于描述载流子在电场和浓度梯度作用下的运动。 - **光学模型**：考虑光的吸收、反射和透射等过程，以准确模拟太阳光谱在多结电池中的响应。 ```python # 示例代码，选择物理模型 models drift diffusion models absorb ``` ### 4. 设定边界条件明确器件的边界条件，包括电极的电压、电流等条件。 - **电极设置**：定义电池的正极和负极，设置电极的接触类型（如欧姆接触）和初始电压。 ```python # 示例代码，设置电极 electrode name=anode x=0 y=0 electrode name=cathode x=0.2 y=0 ``` ### 5. 光照条件设置模拟太阳光照条件，通常使用标准太阳光谱（如AM1.5）。 - **光谱输入**：将太阳光谱数据输入到仿真中，设置光照强度。 ```python # 示例代码，设置光照条件 optical lam.min=0.3 lam.max=1.8 npts=1000 optical spectrum file="AM1.5.dat" ``` ### 6. 仿真计算运行Atlas模块进行仿真计算，求解器件的电学和光学特性。 - **求解器选择**：根据问题的性质选择合适的求解器，如牛顿求解器。 ```python # 示例代码，运行仿真 method newton solve init solve vanode=0 vstep=0.01 vfinal=1.5 name=anode ``` ### 7. 结果分析使用Silvaco的Tonyplot等工具对仿真结果进行分析。 - **特性曲线绘制**：绘制电流 - 电压（I - V）曲线、量子效率曲线等，评估电池的性能指标，如开路电压、短路电流、填充因子和转换效率等。