IBIS模型参数

IBIS模型参数
作者:AirCity 2020.2.1
Aircity007@sina.com 本文所有权归作者Aircity所有
下面是一个典型的IBIS模型,包括了各种参数符号。你在IBIS模型中看到的参数都在下面表示出来了。
在这里插入图片描述

  1. PMOS导通,NMOS关闭,输出1;
  2. NMOS导通,PMOS关闭,输出0;
  3. PMOS和NMOS都关闭,输出高阻态。
  4. IBIS文件包含:I/V数据,R_PKG,C_PKG, L_PKG, C_Comp的值。
  5. Pull-up的I/V曲线电压范围是VCC~2VCC,因为信号的反射理论标明负载端的最大反射系数是1,最大电压是2倍入射电压。
  6. Ground clamp diode的I/V曲线电压范围是-Vcc~+VCC,
  7. Power clamp diode的I/V曲线电压范围是0~2VCC
  8. Pull-up和Power clamp diode上的电压在IBIS文件中表示为Vtable=Vcc-Vout
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