题目:
分析:
将两片512K的内存拼接为1片1M的内存,本质是地址扩展;
低位地址线A0-A18直接连接;
高位扩展电路如下:
当输入CE=“H”时, 不管 A19=0或1, CE1 和 CE2都为“H”, 即两片512K都不选(与要求CE高不选中一致)
当输入CE=“L”时, A19=0时, CE1=0, 选中上半片512K;CE2=1, 下半片不选中
A19=1时, CE1=1, 上半片512K不选;CE2=0, 选中下半片512K
题目:
分析:
将两片512K的内存拼接为1片1M的内存,本质是地址扩展;
低位地址线A0-A18直接连接;
高位扩展电路如下:
当输入CE=“H”时, 不管 A19=0或1, CE1 和 CE2都为“H”, 即两片512K都不选(与要求CE高不选中一致)
当输入CE=“L”时, A19=0时, CE1=0, 选中上半片512K;CE2=1, 下半片不选中
A19=1时, CE1=1, 上半片512K不选;CE2=0, 选中下半片512K