DDR3学习（一）

I.MX6U-ALPHA开发板上带有一个256MB/512MB的DDR3内存芯片，一般Cortex-A芯片自带的RAM很小，比如I.MX6U只有128KB 的 OCRAM。
如果要运行Linux的话完全不够用，所以需要外接一片RAM芯片，I.MX6U 支持 LPDDR2、LPDDR3/DDR3，I.MX6U-ALPHA开发板上选择的是 DDR3。

RAM和ROM

RAM：随机存储器，可以随时进行读写操作，速度很快，掉点以后数据会丢失。比如内存条、SRAM、DRAM、DDR等都是RAM。RAM一般用来保存程序数据、中间结果。
比如我们在程序中定义了一个变量 a，然后对这个 a 进行读写操作，示例代码如下：

int a;
a = 10;

a是一个变量，我们需要很方便地对这个变量进行读写操作，方法就是直接“a”进行读写操作，不需要在乎具体的读写过程。我们可以随意的对 RAM 中任何地址的数据进行读写操作，非常方便。

ROM：只读存储器。
比如我们买手机，通常会告诉你这个手机是 4+64 或 6+128 配置，说的就是RAM为4GB或6GB，ROM为64G或128GB。
但是这个 ROM 是 Flash，比如 EMMC 或 UFS 存储器，因为历史原因，很多人还是将Flash 叫做 ROM。但是 EMMC 和 UFS，甚至是 NAND Flash，这些都是可以进行写操作的！

只是写起来比较麻烦，要进行先擦除，然后再发送要写的地址或扇区，最后才是写入的数据。

相比于RAM，向ROM或者Flash里面写入数据要复杂很多，因为速度会变慢，但是ROM和Flash可以将容量做很大，而且掉电后数据不会丢失，适合用来存储资料，比如音乐、图片、视频信息等。

综上所述，RAM速度快，可以直接和CPU进行通信，但是掉点以后数据会丢失，不容易做大。ROM速度虽然慢，但是容量
大、适合存储数据。
对于正点原子的I.MX6U-ALPHA开发板而言，DDR3就是RAM，NANF Flash或EMMC就是ROM。

SRAM简介

static radom access memory，静态随机存储器，这里的“静态”是指只要SRAM上电，那么SRAM里面的数据就会一直保存着，直到SRAM掉电。对于RAM而言需要可以随机的读取任意一个地址空间内的数据，因此采用了地址线和数据线分离的方式。

1. 地址线，一共A0~A18，也就是19根地址线，因此可访问的地址大小就是2^19=524288=512KB。
2. 数据线，16根数据线，一次访问可以访问16bit的数据，也就是2个字节。因此就有高字节和低字节数据之分，其中 IO0~IO7 是低字节数据，IO8~IO15 是高字节数据。
3. 控制线，SRAM要工作还需要一堆的控制线，CS2和CS1是片选信号，低电平有效，在一个系统中可能会有多片SRAM，这时候就需要CS信号来选择当前使用哪片SRAM。此外，有的SRAM内部其实是由两片SRAM拼接起来的，因此就会提供两个片选信号。
   OE：输出使能信号，低电平有效，主控从SRAM读取数据。
   WE：写使能信号，低电平有效，主控向SRAM写数据。
   UB：低电平时访问高字节。
   LB：低电平时访问低字节。

SRAM价格高，SDRAM比SRAM容量大，但是价格更低。SRAM突出的特点就是无需刷新，读写速度快，所以SRAM通常作为SOC的内容RAM或Cache使用。比如 STM32 内存的 RAM 或 I.MX6U 内部的OCRAM 都是 SRAM。

SDRAM

Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，“同步”的意思是SDRAM工作需要时钟线，“动态的意思”是SDRAM中的数据需要不断的刷新来保证数据不会丢失，“随机”的意思是可以读写任意地址的数据。

与SRAM相比，SDRAM集成度高，功耗低，成本低，适合做大量存储，但是需要定时刷新来保证数据不会丢失。SDRAM适合用来做内存条，SRAM适合做高速缓存或MCU内部的RAM。

1. 控制线：
   CLK：时钟线，SDRAM是同步动态随机存储器，“同步”的意思是时钟，因此需要一根额外的时钟线，这和SRAM最大不同，SRAM没有时钟线。
   CKE：时钟线使能信号线。
   CS：片选信号
   RAS：行选通信号，低电平有效，SDRAM和SRAM寻址方式不同，SDRAM按照行、列来确定某个具体的存储区域。因此就有行地址和列地址之分，行地址和列地址共同复用同一组地址线，要访问某一个地址区域，必须要发送行地址和列地址，指定要访问哪一行？哪一列？RAS是行选通信号，表示要发送行地址。
   
   CAS：列选通信号，和RAS类似，低电平有效，选中以后就可以发送列地址了。
   WE：写使能信号，低电平有效。
2. A10地址线，不仅是地址线，A10还控制着Auto-precharge，也就是 预充电，SDRAM芯片内部会分为多个BANK，SDRAM在读写完成以后，如果要对同一个BANK中的另一行进行寻址操作就必须将原来有效的行关闭，然后发送新的行/列地址，关闭现在工作的行，准备打开新行的操作就叫做预充电。一般SDRAM都支持自动预充电功能。
3. A0~A12 包含了行地址和列地址。不同的 SDRAM 芯
   片，根据其位宽、容量等的不同，行列地址数是不同的，这个在 SDRAM 的数据手册里面会也清楚的。比如 W9825G6KH 的 A0~A8 是列地址，一共 9 位列地址，A0~A12 是行地址，一共 13位，因此可寻址范围为：2^9*213=4194304B=4MB，W9825G6KH 为 16 位宽(2 个字节)，因此还需要对 4MB 进行乘 2 处理，得到 4*2=8MB，但是 W9825G6KH 是一个 32MB 的 SDRAM 啊，为什么算出来只有 8MB，仅仅为实际容量的 1/4。不要急，这个就是我们接下来要讲的 BANK，8MB 只是一个 BANK 的容量，W9825G6KH 一共有 4 个 BANK。
4. BANK选择线：BS0和BS1是BANK选择信号线，在一片SDRAM中因为技术，成本等原因，不可能做一个全容量的 BANK。而且，因为 SDRAM 的工作原理，单一的 BANK 会带来严重的寻址冲突，减低内存访问效率。为此，人们在一片 SDRAM 中分割出多块 BANK，一般都是 2 的 n 次方，比如 2，4，8 等。图 23.1.1.2 中的⑤就是 W9825G6KH 的 4 个 BANK 示意图，每个 SDRAM数据手册里面都会写清楚自己是几 BANK。前面我们已经计算出来了一个 BANK 的大小为 8MB，那么四个 BANK 的总容量就是 8MB*4=32MB。
5. BANK区域
6. 数据线
7. 高低字节选择

DDR

Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM，看名字就知道 DDR 的速率(数据传输速率)比 SDRAM 高 1 倍！这 1 倍的速度不是简简单单的将 CLK 提高 1 倍，
这1倍的速度不是简简单单的将CLK提高1倍，SDRAM在一个CLK周期传输一次数据，DDR在一个CLK周期传输两次数据，也就是在上升沿和下降沿各传输一次数据，这个概念叫做预取(prefetch)，相当于DDR的预取为2bit。

DDR2 在 DDR 基础上进一步增加预取(prefetch)，增加到了 4bit，相当于比 DDR 多读取一倍的数据，因此 DDR2 的数据传输速率就是 533~800MT/s，这个也就是大家常说的 DDR2 533、DDR2 800。当然了，DDR2 还有其他速度，这里只是说最常见的几种。