半导体物理（计算机）

固体晶格结构

晶体

• 晶体的基本特点: 具有一定的外形和固定的熔点，组成晶体的原子(或离子)在较大的范围内（至少是微米量级)是按一定的方式有规则的排列而成一―长程有序。（如Si，Ge,GaAs)
• 单晶:指整个晶体主要由原子(或离子)的一种规则排列方式所贯穿。常用的半导体材料锗(Ge)、硅(Si)、砷化家(GaAs)都是单晶
• 多晶:是由大量的微小单晶体（晶粒）随机堆积成的整块材料，如各种金属材料和电子陶瓷材料

• 非晶（体）的基本特点
  • 无规则的外形和固定的熔点，内部结构也不存在长程有序，但在若干原子间距内的较小范围内存在结构上的有序排列短程有序

空间晶格

• 晶体是由原子周期性重复排列构成的，整个晶体就像网格，称为晶格,组成晶体的原子(或离子)的重心位置称为格点，格点的总体称为点阵
• 晶胞：可以复制成整个晶体的基本单元
• 原胞：可以形成晶体的最小的晶胞
• 晶向：通过晶体中原子中心的不同方向的原子列
• 密勒指数
• 原子体密度与原子面密度

固体中的缺陷和杂质

• 晶格振动
• 点缺陷 (空位和填隙)
• 线缺陷

固体量子理论

允带与禁带

• 允带是指允许电子或空穴存在的能带
• 禁带是指不允许电子或空穴存在的能带
• 布里渊区

固体中电的传导

• 有效质量
• 电子与空穴

状态密度函数

• 有效状态密度函数

统计力学

• 麦克斯韦-玻尔兹曼分布
  • 认为分布中的粒子可以被一一区分，且对每个能态所容纳的粒子数没有限制
• 玻色-爱因斯坦分布
  • 认为分布中的粒子不可区分，但每个能态所容纳的粒子数没有限制
• 费米-狄拉克分布
  • 认为分布中的粒子不可区分，且每个量子态只允许一个粒子存在
• 费米能级

半导体物理 ---- 平衡半导体

半导体中的载流子

• 平衡状态
  • 没有外界影响(如电压、电场、磁场或温度梯度)作用在半导体上的状态
• 本征半导体
  • 没有杂质原子和缺陷的纯净晶体
• 载流子
  • 能够参与导电，荷载电流的粒子:电子、空穴
• 导带电子的分布
• 价带空穴的分布

掺杂原子与能级

• 非本征半导体：掺杂半导体
• 间隙式杂质
  • 杂质进入半导体后可以存在于晶格原子之间的间隙位置上，称为间隙式杂质，间隙式杂质原子一般较小
• 替位式杂质杂质
  • 杂质可以取代晶格原子而位于格点上，称为替（代）位式杂质，替位式杂质通常与被取代的晶格原子大小比较接近而且电子壳层结构也相似。

非本征半导体

• 施主能级 与 受主能级
• 电子 与 空穴的平衡分布
• 简并半导体

施主和受主的统计学分布

• 电中性状态
• 费米能级的位置

半导体物理 ---- 载流子输运

载流子的漂移运动

• 迁移率
• 载流子的漂移
  • 电场作用
  • 散射
  • 平均自有车
• 声子
  • 声子散射

载流子扩散

• 速度饱和
• 载流子迁移率
• 电导率

杂质梯度分布

• 爱因斯坦关系

霍尔效应

• 霍尔效应

半导体物理 ---- 非平衡过剩载流子

• 载流子的产生与复合
• 过剩载流子的性质
• 双极输运
• 准费米能级
• 过剩载流子的寿命
• 表面效应

基础半导体器件

pn 结

• pn结的基本结构
• 零偏
• 反偏
• 非均匀掺杂pn结

pn 结二极管

• pn结电流
• pn结的小信号模型
• 产生复合电流
• 结击穿
• 隧道二极管

金属半导体和半导体异质结

• 肖特基势垒二极管
• 金属半导体的欧姆接触
• 异质结

双极晶体管

• 双极晶体管
• 少子分布
• 低频共基级电流增益
• 非理想效应
• 等效电路
• 频率上限
• 大信号开关

半导体场效应晶体管

双端mos

• 能带图
• 耗尽层厚度
• 功函数差
• 平带电压
• 阈值电压
• 电荷分布

mosFET

• 频率限制特性
• MOS结构
• 电流电压关系-
• 跨导
• 衬底偏置效应
• 非理想效应
  • MOSFET按比例缩小理论
  • 阙值电压的修正
  • 附加电学特性
  • 辐射和热电子效应

CMOS

• CMOS

结型场效应晶体管

• JFET概念
• 器件的特性
• 非理想因素
• 等效电路和频率限制
• 高电子迁移率晶体管

JFET

• pn JFET 基本原理
• MESFET 基本原理

微电子本科培养方案（专业核心课程）介绍

• 固体物理
• 信号与系统
• 集成电路原理
• 微电子器件原理
• 统计物理学
• 量子力学 与 高等量子力学 
• 电动力学
• 射频通信
• 半导体物理
• 半导体器件
• IC 设计
• 数字逻辑设计
• 集成电路设计