半导体物理第7版复习笔记前三章

先从头理顺逻辑:

什么是有效质量:计算出E-k关系之后,对于半导体来说,起作用的常常是接近于能带底或者能带顶部的电子,因此,只要掌握导带底或者价带顶就行了,把能量函数用泰勒级数展开,然后由于k=0的时候能量极小,所以dE/dK=0 因此可以得到一个式子导出有效质量,导带底电子的有效质量是正值,价带顶电子的有效质量是负值

半导体中电子的加速度: 半导体器件在一定的外加电压下工作,半导体内部就产生外加电场,电子会受到周期性市场和

 

 

半导体中的杂质和缺陷能级 

主要是是要复习施主杂质和施主能级 和受主杂质和受主能级

施主杂质如P 失去电子带正电 施主能级在Ec下面

受主杂质比如B 空穴挣脱束缚 成为晶体共价键中自由运动的导电空穴 形成负电中心 所以成为受主杂质和P型杂质 电离后成为负电中心 

受主能级接近于价带顶, 施主能级接近于导带底 

浅能级杂质电离能的计算 

 浅能级杂质,电离能很低,电子或空穴受到正电中心或者负电中心的束缚很微弱,可以利用类氢模型来估算杂质的电离能,当SI GE中掺入V族杂质如P,在施主杂质处于束缚态的同时,磷原子将比周围的硅原子多一个电子电荷的正电中心和一个束缚着的价电子子,就像比周围的SI GE多了一个H 原子,于是可以用H原子模型来估计电离能的数值,H原子基态电子的电离能为E0=E无穷-E1 因为在无穷的时候典礼台为0,所以H原子基态电子的电离能就是13.6eV 考虑到晶体内存在的杂质原子,正负电荷是处于介电常数为非真空的介质中,则电子受到正电中心的引力将会减弱,所以电子的质量需要进行修正。然后就进行替换就行了,因为有效质量一般小于惯性质量,所以在S

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### 回答1: 《半导体物理与器件》第3是一本介绍半导体物理与器件的权威教材,由清华大学电子工程系研究生院吕旭阳教授主编,于2010年出。 本书内容包含半导体的物理基础、材料的物理特性、常见器件的结构原理和应用等方面。作者以简明易懂的语言进行讲解,减少了专业术语和公式的使用,让读者更容易理解和掌握所学知识。 另外,本书也加入了一些最新的研究成果和技术进展,如SiC及GaN等新型半导体的物理特性和器件制造技术,以及新一代高性能半导体器件如IGBT和MOSFET等的发展趋势和应用。 《半导体物理与器件》第3是一本经典的半导体教材,适合电子信息类专业的本科生和研究生阅读,也适合从事半导体物理和器件研究的学者和工程师参考。 ### 回答2: 《半导体物理与器件第3》是一本关于半导体物理原理和器件设计的教材,由韩国著名学者Kangho Lee编写,于2010年出。 这本教材的内容涵盖了半导体物理学的各个方面,从基础概念和物理原理入手,系统地介绍了晶体结构和性质、能带理论、载流子输运、PN结、MOSFET、BJT等半导体器件的原理和性能。此外,本书还特别讲解了一些前沿的技术和新型器件,如纳米器件、量子点器件、半绝缘体场效应管等。 该书不仅详细介绍了半导体物理学和器件设计的理论基础,而且还有很多实践应用和工程技巧的讲解。同时,书中还包含了许多例题和练习题,帮助学生深入理解课程内容并通过技能测试。 总之,《半导体物理与器件第3》是一本综合性的半导体物理和器件设计教材,适合物理、电子、通信、计算机等相关专业的学生和研究人员使用。本书在半导体物理学和器件设计领域具有较高的权威性和实用性,是值得一读的经典之作。
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