SI2300DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

SI2300DS-T1-GE3 （VB1240）
参数描述：
N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23

型号参数介绍：
SI2300DS-T1-GE3 参数：N沟道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V), 0.45~1Vth(V), SOT23

应用简介：SI2300DS-T1-GE3是一款适用于中电流、低电压的N沟道MOSFET。
其低阈值电压使其适合低电压逻辑驱动。
常用于移动设备、低电压应用等。

优势：适用于低电压逻辑驱动：低阈值电压特性适合低电压逻辑控制。
适用于移动设备：适用于移动设备、低电压应用等领域。
适用模块：SI2300DS-T1-GE3适用于移动设备和低电压应用的控制模块，如手机、平板电脑等。