硬件设计经验2

1. 板走线长，感抗会大，
2. 地一般不干净，差分干扰、电位差产生震荡，地与地之间可以单端接地或加0欧电阻（封装要大）单端接地处放在供电电容位置。
3. 单片机晶振电容一般选12P会好些。
4. NMOS:VGS电压小，电流4A
5. AD:电压信号存储器件式电容。开关通电电容充电叫采样；开关断开，电容电压叫保持。
6. 跟随器：由于运放内阻大，所以输入内助大，输出内阻小。如果后面接的电阻小不太影响电路，因为输出内阻小不会影响电压。
7. 运放一般式推挽输出，输出内阻小。运放的反馈电阻 输入端正向反向串入的电阻一般选择100K，最大不超过300K，因为电流太小，周围大电流会右影响。 输入的内阻一般式上面电阻的1/10，，比如直流分量偏移电压的电阻是上面电阻的1/10。如果上级输入电阻很小比如是设计跟随器，上面100K电阻可以选择10K就可以了。
8. 同向放大：优点同向：缺点：输入阻抗无穷大，容易收到外界干扰（因为外界有大电流流过，感应磁场）。、；反向输入。输入阻抗小，干扰小（因为输入信号可经过RF）。

A/D,D/A:模拟到数字需要用比较器；数字到模拟需要用到运放。