双向可控硅漏电流 ？- 解决方法

在这之前先来了解几个概念：

 

1. 感性负载：负载电流滞后负载电压一个相位差特性的为感性负载，有线圈负载的电路，叫感性负载。
2. 容性负载：电压滞后电流特性的负载。
3. 阻性负载：仅是通过电阻类的元件进行工作的纯阻性负载。

先来看一张AC 220V气泵控制电路，这是公司一直用的原理图，然而在偶然的发现下，当控制信号在关闭的时候，会有漏电流，既气泵会有微弱的震动，量一下CN5两端的电压大约有12V左右（这还了滴）。

开始以为光耦坏了，于是把电路中的光耦拿掉了，然并卵，气泵还是微弱的震动。又开始怀疑双向可控硅坏了（最后事实证明都没坏）。

来看一个双向可控硅的特性，网上搜集来的：

转换电压变化率：

   当驱动一个大的电感性负载时，在负载电压和电流间有一个很大的相移。当负载电流过零时，双向可控硅开始换向，但由于相移的关系，电压将不会是零。所以要求可控硅要迅速关断这个电压。如果这时换向电压的变化超过允许值时，就没有足够的时间使结间的电荷释放掉，而被迫使双向可控硅回到导通状态。

为了克服上述问题，可以在双向可控硅的两端加一个RC网络来限制电压的变化，以防止误触发。一般电阻取100Ω，电容取0.1uF的。

于是网上搜集资料，因为气泵是感性负载，负载电流滞后负载电压一个相位差，于是就会有一个RC吸收回路，RC吸收回路相当于一个容性负载，电压滞后电流特性，两者能减小电压和电流的相位差。上图只有ç有R141.R146.

另一个答案，网上搜集来的：

从结果上来来说，肯定是那个电容的问题，在光耦截止时，电容降压太小，导致了可控硅还存在触发电压，这样的话电机在光耦截止时仍然还会导通。道理应该就这样了。

按照这个思路来，我把104电容（0.1uF的）的电容换成了102电容（100nF的），电容缩小了100倍，结果CN5两端电压有明显减小的效果，具体电压多少我忘了，反正效果非常明显，于是猜想，电容越小，达到的效果越好，于是串联三个102电容上去（竟然没想到把电容拿掉......），电容更小了，CN5两端电压也变小了，对比上一次变化不太大。

后来继续网上搜集资料，有网友说RC电路可以省略掉，于是我把RC吸收回路给去掉了，结果一量电压CN5两端的电压不到0.2V，哈哈，完美解决有末有。具体为什么省略我也没搞明白，可能气泵的感性负载比较小吧（猜测）。具体电路具体分析吧，反正对于我这个电路是这样解决的。

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