1.封装尺寸,基本上封装越大,能承受的电流就越大
2.导通电压Vgs,尽量选择比实际电路中可提供的控制电压小的mos。比如控制电压可提供3V,则mos尽量选择Vgs小于2V的。
3.导通电阻Rds-on.越小越好,导通电阻越小,分压越小,发热越小,价格越高,可能封装也会越大。
4.寄生电容Cgs。会影响到mos的打开速度,因为要打开mos,首先要给电容充电,将示波器时间刻度调整,可以看到波形爬升需要的时间,寄生电容太大,方波会失真。Rds越小,Cgs越大。
1.封装尺寸,基本上封装越大,能承受的电流就越大
2.导通电压Vgs,尽量选择比实际电路中可提供的控制电压小的mos。比如控制电压可提供3V,则mos尽量选择Vgs小于2V的。
3.导通电阻Rds-on.越小越好,导通电阻越小,分压越小,发热越小,价格越高,可能封装也会越大。
4.寄生电容Cgs。会影响到mos的打开速度,因为要打开mos,首先要给电容充电,将示波器时间刻度调整,可以看到波形爬升需要的时间,寄生电容太大,方波会失真。Rds越小,Cgs越大。