Low Cost and High Performance FPGA with ARM and SDRAM inside

AG10KSDE176
AGM AG10KSDE176 是由 AGM FPGA AG10K 与 SDRAM 叠封集成的芯片，具有 AG10K FPGA 的可编程功能，提供更多可编程 IO，同时内部连接大容量 SDRAM。
 FPGA 外部管脚输出
EQFP176 封装底部 Pad 为 GND，管脚说明请见下表：






 SDRAM 说明
内部 SDRAM 为 64Mbit（512K words × 4 banks × 32 bits）容量。由于 SDRAM 为 3.3V 器件，FPGA 的 VCCIO 也需接 3.3V。
FPGA 的 IO 与 SDRAM 的内部连接，请见下表：


 配置说明
AG10K 配置方式支持 JTAG，AS（Master）和 PS（Slave）方式，可通过 MSEL[2…0]选择。
其中 MSEL2 和 MSEL0 已在封装内接到 GND，仅需把外部管脚 MSEL1 按照下表设置，选择不同配置模式。AS 方式也是通过 JTAG 口直接烧写配置 FLASH。

 封装图

 软件开发流程(Compatible 模式)
用 Quartus 基于 Cyclone IV EP4CE10F17 为基础完成原始设计。管脚位置分配可先忽略。
建一新目录作为 AG10K 的项目目录。
新建一个文本格式的管脚分配文件，命名为.ve。编辑 ve 文件加入 FPGA 的 IO位置设置。管脚名称请参考前面的管脚说明表格，ve 文件格式如下（管脚设计名称+空格+封装管脚名称）：
打开 AGM Supra 软件，新建工程，执行 Tools-Prepare。选择 Quartus II 项目目录，Device选 AG10KSDE176，并选择编辑好的 ve 文件后，点击 Run。正确运行后会生成 af_prepare.tcl等文件。
打开 Quartus 项目，通过 Tools-Tcl Scripts 运行 af_prepare.tcl 脚本文件，会把 ve 的内容导入到 EP4CE10 对应的管脚分配，并继续执行编译过程，在项目目录中生成 Simulation目录以及综合后的 vo 等文件。
注意：PIN_38 和 PIN_168 在 F256 里没有对应管脚，所以 Quartus 没有分配，可以忽略。
Supra 会在后面的编译中按照 ve 文件分配到 176 封装的具体管脚。如原 Quartus II 工程中有管脚分配信息，需先删除再执行 TCL。
打开 AGM Supra 软件，执行 Tools-Migrate。Target directory 设为 AG10K 的项目目录，From directory 设为原 EP4CE10 的设计目录。选择 Device 为 AG10KSDE176，同样选择 ve 文件。

点击 Next，参考页面说明 OR 上面的部分，即直接点击 Next。

下面界面中可设置些编译参数，或采用默认设置即可。
点击 Finish，进入编译过程，在 Console 界面可查看编译信息，成功后显示下面信息，并生成配置烧写文件。

如需修改原设计，由于 af_prepare.tcl 已把设置改好，不用重新执行 tcl，在 Quartus 中直接编译即可。然后在 Supra 中 Compile 界面进行最后编译。
 器件烧写
Supra 软件中，选择菜单：Tools-Program。选择需烧写的 PRG 文件，采用默认下载线类型 USB-Blaster。
点击“Program”按钮，开始通过 JTAG 烧写 PCB 上 AG10K 或 FLASH 器件。
 烧写文件类型：
_SRAM. prg 文件为片内 SRAM 写入，通过 JTAG 烧写，掉电即失效，可用于设计调试；
_master.prg 文件为 Master（AS）配置方式下，通过 JTAG 烧写 FLASH 的文件；
_master.bin 为 Master（AS）配置方式下，Flash 的通用烧写文件；
.bin 或 rbf 文件为 Slave（PS）配置方式所需文件，rbf 文件的字节高低位反向。