无缘晶振匹配电容计算方法

以前设计晶振部分电路是按照网上原理图一大抄来的，平常应用没有问题，如果在对晶振频率要求比较高的场合就很有问题了，现在以我的观点来说说晶振的匹配电容是怎么计算来的，如果不想往下看，也可以记住一个经验值：大约为晶振数据手册的匹配电容的1.5倍左右

1、基础知识

1.1 晶振数据手册相关参数

以下所有参数来自于台湾晶技 HC-49SMD 8M 20pF 20ppm的无缘晶振，相关参数如下图所示：

1.1.1 Frequency Tolerance（频率误差）

频率误差也叫为调整频差，指的是在规定条件下，基准温度（25±2℃）时工作频率相对于标称频率所允许的偏差。每个器件都存在一定的误差， 该值也是表征频率值的误差，单位为PPM(百万分之一， 10的6次方)，例如标称频率为10MHz的晶振，如果为1PPM，那么频率偏差为10Hz。上图我们看到误差为30PPM，标称频率为8M，那么误差为±240Hz。若晶振是74.25MHz，实际用频率计测量是74.24MHz。如果以该频率计测量结果为准的话，那么晶振的误差为：
（74.24-74.25）/74.25≈0.000135=135*10^-6，计算结果误差是135PPM。

1.1.2 Shunt Capacitance (C0)（寄生电容）

寄生电容指的是晶体两个管脚之间的寄生电容，在计算晶振的负载电容时需要将这个值考虑上，上图的晶振寄生电容为7pF。

1.1.3 Load Capacitance (CL)（负载电容）

这里涉及到晶振的一个非常重要的参数，即负载电容CL(Loadcapacitance)，它是电路中跨接晶体两端的总的有效电容(不是晶振外接的匹配电容)，主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻，与晶体一起决定振荡器电路的工作频率，通过调整负载电容，就可以将振荡器的工作频率微调到标称值。一般负载电容的计算公式如下：

其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容(Shunt Capacitance)
   CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2。
   CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1。
有上述公式可知，我们在做PCB板时，只能控制晶振的匹配电容来调节负载电容， 负载电容的大小影响了晶振的工作频率。

1.2 晶振电路框图

晶振工作原理图如上图所示，芯片内部包含了增益很大的反相放大器，外部需要接一个反馈电阻Rf，(一般≥1MΩ)，它使反相器在振荡初始时处于线性工作区，R2与匹配电容组成网络，提供180度相移，同时起到限制振荡幅度，防止反向器输出对晶振过驱动将其损坏。晶振、电容CG和CD构成是电容三点式电路的分压电容，接地点就是分压点。以接地点即分压点为参考点，输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形成一个正反馈以保证电路持续振荡，它们会稍微影响振荡频率，主要用与微调频率和波形，并影响幅度。 XTAL是晶体，相当于三点式里面的电感。

二、计算匹配电容

计算匹配电容的原则是尽量让CL接近晶振数据手册提供的负载电容，计算公式如下、

其中，CS为晶体两个管脚间的寄生电容(Shunt Capacitance)
  CD表示晶体振荡电路输出管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CO、外加匹配电容CL2，即CD=CPCB+CO+CL2。
  CG表示晶体振荡电路输入管脚到地的总电容，包括PCB走线电容CPCB、芯片管脚寄生电容CI、外加匹配电容CL1，即CG=CPCB+CI+CL1。
  CD一般和CG相等，为了简便计算，看做相等。
一般CS为1pF左右，CI与CO一般为几个皮法，具体可参考芯片或晶振的数据手册。上述数据手册上说CS最大为7pF，在这我们认为5pF，根据STM32的芯片手册得芯片管脚的寄生电容为5pF左右，CPCB电容一般为4pF。
  比如规格书上的负载电容值为20pF，带入公式可得CD=CG=30pF，计算出来的匹配电容值CL1=CL2=20pF。

三、结论

上述过程是不考虑工艺上误差的情况，实际工程中上述过程的电容值参数并不是固定不变的， 为了便于记忆，我们取CL1=CL2=1.5*CL (CL表示为芯片手册上提供的参考负载电容值)。在实际调试过程中应该根据频率值来相对的增加和减少电容值

参考资料

• 晶振匹配电容如何计算?.
• stm32晶振匹配电容_几毛钱的32768晶振，这也能写出一篇干货？.
• STM32 外部晶振电路设计和匹配.
• HC-49SMD 8M 20pF 20ppm的无缘晶振数据手册.