MOS管(场效应管)工作原理，就是这么简单！一款N沟道TO-220封装的2SK3569晶体管

今天讲一下场效应管-MOSFET。

场效应管MOSFET与BJT的不同之处在于BJT需要向基极引脚施加电流，以便于集电极和发射极引脚之间流动。另一方面，场效应管MOSFET只需要栅极引脚上的电压来允许电流在漏极和源极引脚之间流动。场效应管MOSFET在实际设计中具有非常高的栅极阻抗，这就决定了MOSFET的一个特点，非常擅长降低电路的运行所需要的功率。

先来简单介绍一下什么是场效应管MOSFET？

场效应管（MOSFET）是一种常见的电子器件，用于控制电流流动的开关或放大器。场效应管MOSFET 是具有源极 (S)、栅极 (G)、漏极 (D) 和体 (B) 端子的四端子器件。通常，场效应管MOSFET的主体与源极端子相连，从而形成三端器件，例如场效应晶体管。场效应管MOSFET 通常被认为是一种晶体管，并用于模拟和数字电路。

MOSFET的工作原理如下：

1. 当栅极电压低于阈值电压时，MOSFET处于关闭状态，漏极-源极电流几乎为零。
2. 当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET处于开启状态，漏极-源极电流可以通过。
3. 通过改变栅极电压，可以控制漏极-源极电流的大小，从而实现对MOSFET的控制。

MOSFET具有以下特点：

1. 高输入阻抗：MOSFET的输入阻抗很高，使其适用于各种信号源。
2. 低输出阻抗：MOSFET的输出阻抗很低，可以提供较大的输出电流。
3. 快速开关速度：MOSFET具有快速的开关速度，适用于高频应用。
4. 低功耗：MOSFET在开启状态时，几乎没有功耗。

MOSFET在电子领域有广泛的应用，包括功率放大器、开关电路、模拟电路、数字电路等。

关于场效应晶体管N沟道MOSFET 2SK3569(STA4,X,S) 概述：

类型：N沟道 MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）：600V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）：10A

栅源极阈值电压：4V @ 1mA

漏源导通电阻：750mΩ @ 5A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc)

产品特性：

1. 低漏源导通电阻：RDS（导通）=0.54Ω （典型值）

2.高正向传输导纳：|Yfs|=8.5 S（典型值）

3.低漏电流：IDSS=100μA（最大值）（VDS=600 V）

4.增强模式：Vth=2.0至4.0 V（VDS=10 V，ID=1 mA）