N沟道功率MOSFET--FDA59N30 助力提高电源效率 为设备节能做出贡献

FDA59N30 UniFETTM MOSFET 是高压 MOSFET产品，基于平面条形和 DMOS 技术。 该 MOSFET 产品专用于降低通态电阻，并提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度。适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX 及照明设备用镇流器。

FDA59N30产品特性：

1.RDS(on) = 56mΩ （最大值）@ VGS = 10V, ID = 29.5A

2.低栅极电荷（典型值 77nC）

3.低 Crss（典型值 80pF）

4.100% 经过雪崩击穿测试

FDA59N30产品运用领域：

PDP电视

不间断电源

交直流电源