SI7212DN-T1-GE3 双通道N沟道30V（D-S）MOSFET

SI7212DN-T1-GE3
标准信息：
制造商:Vishay

产品品种:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

装置风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

通道数量:2 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:6.8 A

Rds On-漏源导通电阻:36 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:600 mV

Vgs - 栅极-源极电压:12 V

Qg-栅极电荷:11 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.6 W

装备:Dual

通道形式:Enhancement

商标名:TrenchFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1.04 mm

长度:3.3 mm

系列:SI7

晶体管类型:2 N-Channel

宽度:3.3 mm

商标:Vishay / Siliconix

正向跨导 - 最小值:20 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:12 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型封闭延迟时间:30 ns

典型接通延迟时间:10 ns

零件号别号:SI7212DN-GE3

        

SI7212DN-T1-GE3 是由Vishay Siliconix公司设计和生产的一款高性能MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。这款器件具有低导通电阻、高电流承载能力和小尺寸封装等特点，适用于各种电源管理、开关电源和电机驱动应用。其主要特点和应用如下：
 
主要特点：
1. MOSFET：双N沟道MOSFET，工作电压为30V，连续漏极电流为4.9A。
2. 低导通电阻：漏源导通电阻为36mΩ（典型值），降低导通损耗。
3. 高电流承载能力：最大漏极电流为6.8A，适用于高电流应用。
4. 小尺寸封装：采用S-XDSO-C6封装，便于布局和焊接。
 
应用领域：
SI7212DN-T1-GE3 适用于各种电源管理、开关电源和电机驱动应用，如开关电源、逆变器、电动车控制器等。在开关电源中，它可以用于实现高效能和高电流承载能力的开关。在逆变器中，它可以应用于交流输出的开关和控制。在电动车控制器中，它可以用于电机驱动和电源管理。此外，SI7212DN-T1-GE3 还可以用于其他需要低导通电阻、高电流承载能力和小尺寸封装的场景。

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