1.8nm粒径石墨烯量子点GQD@VMSF氨基/羟基功能化修饰电极的制备方法

1.8nm粒径石墨烯量子点GQD@VMSF氨基/羟基功能化修饰电极的制备方法

今天小编分享量子点修饰电极的制备方法，一起看看吧：

 1.8nm粒径石墨烯量子点GQD@VMSF氨基/羟基功能化修饰电极的制备过程：

在0.125 molL的NaOH溶液中加入7.3 mmolL的三硝基芘，超声分散后，在200℃下水热反应2h得到无明显颗粒的红棕色溶液。将溶液装入透析袋中透析2天以截留分子量大于1000 Da的OH-GQDs，溶液经冷冻干燥得到OH-GQDs固体。因此通过对VMSF/ITO(工作电极)施加恒定的正电压,采用电泳法将OH-GQDs修饰在VMSF孔道中制备得到OH-GQD@VMSF/ITo。

用 TEM和 AFM分析了合成的OH-GQDs的大小、分布和高度。图（A）示出了粒度均匀的OH-GQDs，其由水热方法制备。经统计，OH-GQDs的平均粒径为1.8 nm。通过减少水热反应时间，可以使 GQDs的粒径变小。通过高分辨率透射电镜（HRTEM)，可以发现具有0.21 nm的点阵间距，与石墨烯（100）晶体平面相吻合。图（B）为OH-GQDs的 AFM表征，显示OH-GQDs的平均厚度为0.8 nm，说明该方法制备的OH-GQDs为单层石墨烯。
量子点QDs的结构使其具有表面效应、量子尺寸效应、介电限域效应、量子隧穿效应等多种效应，并衍生出一种有别于宏观和微观系统的低维物质，表现出与大尺度物质相区别的物理、化学性能和发光性能。
HRSWRL2023.1