类球形CdTe＠SiO2＠BCP香豆素量子点CND/SiQDs包裹二氧化硅的制备方法

类球形CdTe＠SiO2＠BCP香豆素量子点CND/SiQDs包裹二氧化硅的制备方法

今天小编分享量子点修饰香豆素包裹二氧化硅的制备过程，一起看看吧：

以MPA为稳定剂,在加入MPA搅拌5 min后,将镉前驱体溶液的pH值调节至10,迅速加人新制NaHTe溶液,加热至100 ℃.10 min后,加人400 uL TEOS,氮气保护下回流8h,得到酒红色溶液,用无水乙醇纯化离心,置于恒温箱中干燥保存。之后,80 uL APTES 和 100 uL TEOS被加到反应容器,暗室中搅拌反应12 h.

向合成的CdTe@Si02QDs的反应容器中,加入2mg新合成的1,9一双(7-香豆素氧基)-3,7-二硫杂壬烷,搅拌反应8 h.加40 mL丙酮使产物沉淀,5000 rpm下离心15min,先后用乙醇和水清洗三次,35℃下真空干燥,得到CdTe@Si02@BCP。

用扫描电子显微镜(SEM)观察量子点的形貌,结果如图所示。从图中可以看出, CdTe@ Si02@BCP的形貌呈类球形,粒径分布较均匀;结构致密，分散性好。

二氧化硅包覆的半导体量子点与被包覆之前相比具有很多的优点，这也决定了它们的终用途有所不同。二氧化硅层可以避免半导体量子点与外界环境的直接接触从而为它们提供了化学的、物理的保护，改善了稳定性。比如阻止量子点的聚集，以及避免量子点被光照造成的氧化。此外硅溶胶的表面化学方法发展的已经很完善，它们可以溶解在水里面或者是亲水性的溶剂里面，并且二氧化硅层的表面可以修饰新的基团以利于进一步的应用。

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仅用于科研，RL023.1