一、所需文件简单介绍
VAPS所需四个文件POSCAR
、POTCAR
、KPOINTS
、INCAR
。
1.POSCAR
结构文件,一般由Materials Studio软件和VESTA生成。
2.POTCAR
赝势文件,可利用cat
命令生成,也可利用vaspkit程序直接生成(需要编译设置)这里不详述。
3.KPOINTS
k点路径文件,可以利用vaspkit程序生成,也可查看文件自行设置,这里不详述。
4.INCAR
参数设置文件,根据计算不同体系内容进行更改。
这里介绍的是结构优化OPT的INCAR设置内容:
SYSTEM=opt #名字,随意设置
ISTART=1 #默认为 1,如有波函数WAVECAR则读取,无则不读,0为直接不读
ICHARG=1 #决定如何构建初始电荷密度,同上,DOS和BS计算时应设置为 11
ENCUT=500 #截断能,建议进行截断能测试,也可根据文献设置
IBRION=2 #决定离子的更新和移动,结构粗糙用 2,结构精度较高用 1
ISIF=2 #2为优化结构,不优化晶胞;3为同时优化晶胞和结构
NSW=40 #最大离子步数,即优化过程中计算的最大步数
NELM=80 #最大电子步数,即每一离子步中计算的最大步数
NELMIN=4 #具体见vasp手册
NELMDL=-12 #收敛遇到问题时可以尝试更改,具体见vasp手册
ISPIN=2 #是否加自旋计算,1为不加,2为加
EDIFF=1E-5 #电子步收敛精度
EDIFFG=-0.01 #离子步收敛精度
ISMEAR=0 #决定每个轨道的部分占据状态,0为Gaussian smearing,根据半导体和导体体系更改
SIGMA=0.05 #指定smearing范围
#优化计算速度
ALGO=Fast
LREAL=Auto
NCORE=4
PREC=Accurate
#控制结果输出
LELF= .F. #控制输出ELFCAR
LAECHG=.F. #控制输出AECCARO
LCHARG=.F. #控制输出CHGCAR and CHG
LWAVE =.F. #控制输出WAVECAR
部分代码如上,具体参数请参考vasp手册,这里只是提供建议值。
大部分注释是换成了比较通俗易懂的,可能不太准确,欢迎大家批评指正!