拉扎维模拟CMOS集成电路设计西交张鸿老师课程P2~5视频学习记录

最新推荐文章于 2024-09-14 21:53:48 发布
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分类专栏： 模拟CMOS学习 文章标签： 学习
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本文记录了西交大张鸿老师的模拟CMOS集成电路设计课程，涵盖p2-p5的内容。主要讨论了亚阈值区的特性，包括电流公式、饱和条件和低功耗特点，强调了在纳米工艺下如何借助仿真工具进行电路计算。此外，还介绍了理想放大器的特性，如无穷大的输入阻抗、输出阻抗要求以及共源级放大器的概念。最后，讨论了二极管连接对MOS管阈值电压的影响，以及类反向器结构的class-AB放大器，其输出摆幅和对VDD的敏感性。
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Joejwu
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拉扎维模拟CMOS集成电路设计西交张鸿老师课程P10~13视频学习记录
Joejwu的博客
10-29 1118
但是在一些先进工艺，或者高速的IO电路中，确实可能存在速度饱和的问题，此时就需要采用更长的L等措施；为了获得经过的复制电流值，将消耗更大的输出电压范围，如下，一个阈值电压500-700mv，太大了；之前说过的，一山不容二虎，此时需要迁就电流小的，所以M4就没法提供Id4想要的大电流；还提到一点，就是薄氧管和厚氧管，一般数字的选择前者，模拟的选择后者；大信号，分析输出范围，希望在该共模电平下，所有管子都在饱和区；所以还是那个问题，Id4想增加，Id2想减小；共模波动，CMRR，共模抑制比；
西安交大模拟电路国家级精品课程2
07-16
该课件为高等教育出版社出版，运行于全屏模式，为PPT文档
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10-05
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【模拟CMOS集成电路设计】第六章放大器的频率特性
m0_56997192的博客
06-15 1982
一、考虑电路的动态特性，主要考虑两个问题1、阶跃响应开机快慢，主要由时间常数RC来决定。开机响应，阶跃响应）这个微分方程怎么解的？2、考虑稳态正弦特性，对加单频正弦波的幅值响应和相位响应。在这里就是傅里叶变换，即拉普拉斯变换的虚部；二、电压源驱动RC串联和电流源驱动RC并联类似电压源驱动电阻与电容串联的频率特性类似于电流源驱动电阻与电容并联。（直流成分不一样）三、极点和零点分布左半平面的极点：零点增益下降，输出相位延后，（电容）右半平面的极点：零点增益下降，输出相位超前，（电感）
西交大模拟IC课件-CMOS XJTU-张鸿教授ppt -R2
04-16
西交大模拟IC课件-CMOS XJTU_张鸿教授ppt -R2，模拟集成电路设计，
模拟cmos集成电路
12-11
拉扎维的模拟cmos中文版，学习模拟电路必看，讲的特别详细，对入门和提高都有帮助，本压缩包提供2018版和2003版，以及课后习题答案共三个文件，感兴趣的同学可以下载
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07-28
模拟CMOS集成电路设计复习提纲——西电微电子，analog IC design
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拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》习题答案（手写版）
11-10
《模拟CMOS集成电路设计》是Behzad Razavi教授撰写的一本经典教材，涵盖了模拟集成电路设计的基础知识和高级概念。这本书的习题解答手写版提供了对书中问题的详细解答，帮助读者深入理解和掌握CMOS模拟集成电路的...
拉扎维模拟CMOS集成电路设计西交张鸿老师课程P6~9视频学习记录
Joejwu的博客
10-29 710
利用叠加法计算完之后，可以发现，小信号其实可以只加在差动对的一边，而另一边保持不变，此时增益减半？Vp点电压并非是理想的保持不变，而是会出现微小波动，原因如左上角的图中所示；Id与Vgs的曲线是个抛物线，所以相同的电压变化，带来的电流变化是不一样的，所以自然存在一定的电压波动；左下角的图中绿色的线，就是Vp的电压变化情况，其频率翻倍；因此可以通过这个结构与特点来做倍频器；
拉扎维模拟CMOS集成电路设计第五章《电流镜及其偏置技术》
weixin_52171284的博客
04-08 471
模拟CMOS集成电路设计学习记录1
weixin_47770737的博客
12-25 614
从今天开始，我将不定期分享自己在学习拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》的一些学习记录，望与君共勉。
拉扎维模集笔记
m0_50882712的博客
10-19 3157
1.ro是什么答：ro是沟长调制效应的等效电阻，值约为1/（λ*Id）。2.η是什么答：η是体效应的影响3.PVT是什么答：P是工艺影响；V是电压影响；T是温度影响；L是负载影响。
西安交通大学 大规模集成电路设计基础 课程情况+期末要点
烧烤团子
06-23 940
课程ppt/教材/教材答案/我的手写作业答案/期末复习要点下载：https://pan.baidu.com/s/1I5IpOLJMqOLR95911i1I0Q 提取码: 1jpq 成绩分布： 考场一共12个考号，来考试的只有10个人。大体情况：作为3学分的课，选这门课的很多是学分不够的大四学生。所以这门课的特点是容易及格，但不容易拿高分。课上讲的东西比较枯燥，电路基础不好可能会听不懂。偶尔有课堂小测，不过好像和平时分没什么关系，我的平时分是99。一共只有2次作业，分别在第二章和第六章补充部分。我的作业已经写
UEFI学习笔记（五）：EDK II PCD的概念、类型、使用
qq_44189622的博客
09-11 826
如果在BIOS里面有一些模块是binary方式集成进来的而这些binary又需要用到PCD（用于Binary Release），那么这些Binary集成的要用到的PCD就必须要设置为。PCD的值存在memory里面，下次启动时，上次更改的值丢失了，每次启动都是从default值开始。是存在VPD空间的（在FLASH上，只读），一般是出厂配置。如果platform是从源码build出来的，没有binary在里面的时候，PCD用的都是。作用域在一个模块中（模块级的），可以在Binary Level进行修改。
看Threejs好玩示例，学习创新与技术(二)
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09-14 343
它的主要特点是确保生成的点之间保持一定的最小距离，从而避免点的聚集。这种方法在计算机图形学、游戏开发、物理模拟等领域中非常有用，尤其是在需要生成自然分布的对象（如树木、石头等）时。如果不进行裁剪，那么效果如下（初步的锯齿感是因为矩形内采样的结果）。为啥这么复杂呢，为啥不开始存储每个方块的UV呢？下面代码的vTexCoords（=savedModelMatrix，已修改）记录方块所在的位置，vWorldPosition表示方块中像素的偏移。在上面那副图中，聪明的你一定初步猜到了每个方块的纹理是怎么得到的。
计算几何学习
网安小白
09-12 436
学习计算几何过程中对经典算法的记录
拉扎维模拟cmos集成电路设计pdf
09-06
拉扎维模拟CMOS集成电路设计是一本由拉扎维（Razavi）所著的电子工程领域的重要参考书籍。该书详细介绍了模拟CMOS集成电路设计的基本原理、技术和方法，并结合实际案例进行了深入讲解。 本书首先介绍了CMOS集成电路的工艺背景和基础知识，包括场效应晶体管的基本原理、CMOS工艺流程等。接着，书中详细讲解了模拟电路的基本概念和常用的模型，如放大器、振荡器等，同时着重介绍了低功耗和宽带的设计技术。 在具体设计方法方面，拉扎维详细介绍了各种电路的设计步骤和注意事项。他通过实例演示了如何进行电路参数估算、电路拓扑设计、可靠性和稳定性分析等相关内容。同时，拉扎维还介绍了一些常用的设计工具和仿真软件，如SPICE和CADENCE等，帮助读者更好地理解和应用书中所讲述的内容。 此外，拉扎维模拟CMOS集成电路设计还涵盖了一些比较前沿的设计话题，如射频集成电路的设计、时钟和数据恢复电路的设计等。这些内容对于有一定电路设计基础的读者来说是非常有价值的。 总的来说，拉扎维模拟CMOS集成电路设计是一本权威、全面、实用的电子工程教材，适合作为高校电子工程专业的教材或工程师的参考书。通过阅读和学习这本书，读者可以系统地掌握模拟CMOS集成电路设计的核心原理和技术，提高自己的设计能力和技术水平。
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