EMC相关

1.测试有哪些

EMC：电磁兼容（电磁环境中性能不能降低）

EMI：电磁发射（对外发射，对其他干扰）

EMS：电磁抗扰度（受干扰敏感度）

EMC：EMI和EMS

EMI：

辐射发射（RE）：标准（CISPR 16，GB/T 6113）

传导发射（CE）：标准（CISPR 16，GB/T 6113）

电流谐波

电压波动和闪烁

EMS：

静电放电抗扰度（ESD）：标准（IEC 61000-4-2，GB/T 17626.2）

射频电磁场辐射抗扰度（RS）：标准（IEC 61000-4-3，GB/T 17626.3）

电快速瞬变脉冲群抗扰度

雷击（浪涌）抗扰度

射频感应场传导抗扰度（CS）：标准（IEC 61000-4-6，GB/T 17626.6）

工频磁场抗扰度

电压跌落与中断

2.ESD范围

消费：4KV（接触），8KV（空气）

车载：8KV（接触），15KV（空气）

3.ESD防护

并联放电器件：

TVS

齐纳二极管

压敏电阻

气体放电管

 串联阻抗

串联电阻或磁珠限制电流，如高输入阻抗端口串1K（ADC，输入GPIO，按键）

 增加滤波网络

滤波器滤掉能量

 4.车载以太网静噪措施

HDMI，USB有GND线，共模电流通过GND返回，共模电流磁场相互抵消

以太网无GND线，共模电流对地杂散电容返回，易辐射

 电缆中加GND线，可消除共模电流部分磁场

使用共模扼流圈：差模电流，两条线磁通相互抵消，不影响差动电流；共模电流，磁通相互加强（不影响差动信号，降低共模噪声）

 差模（反相）--->消除--->通过

共模（同向）--->加强--->反射

选择性消除共模噪声

不均衡（长度，绕线方向偏差）--->共模噪声

 5.CE，RE问题解决（电源AC端口）

CE测试数据：

 RE测试数据：

 198K（低频）--->差模噪声

增加差模滤波，电感，电容

CE高频--->共模接地不良及近场耦合，无法通过电感滤波改善

共模电容滤波

共模电容接地点，减小共模环路及接地阻抗

减少近场耦合

RE低频--->电源开关噪声引起辐射

端口高频滤波电容

加强电源参考地与机壳搭接

开关上升沿调整（影响效率）

6.接地

营造信号电流流回信号源地路径

地环路面积小

 单点接地与多点接地

低频（<1MHz）：布线和器件间电感影响小，地环路影响大，一点接地

>10MHz：地阻抗变大，降低地阻抗，就近多点接地

1-10MHz：一点接地，线长<=波长1/20，否则多点接地

单点接地：

 多点接地：

数字模拟分开，分别与电源端地线相连，加大模拟接地面积

加粗接地线（接地电位随电流变化而变化，大于3mm）

数字电路构成闭环路（耗电多组件受地线粗细限制，产生较大电位差，构成环路缩小电位差）

7.EMC设计

合理导线宽度

布线策略

环路最小规则（信号线与其回路构成的环路面积）

 短线规则（振荡器放器件近位置）

闭环检查规则（防止信号在不同层间形成闭环）

时钟线包地或紧邻

元器件布局

接口滤波，防护，隔离器件靠近接口，遵从先防护，后滤波原则

晶体，晶振，继电器，开关电源强辐射距面板，连接器边缘>=1000mil，距板内屏蔽罩，外壳>=500mil

数字模拟，高速低速，分开布局

去耦电容配置：抑制因负载变化而产生的噪声

电源输入端：10-100uF电解电容器，100uF以上效果更好（位置允许）

芯片：每个配置0.01uF陶瓷电容器；4-10个芯片配置一个1-10uF钽电解电容器（空间小），高频阻抗小（500kHz-20MHz内小于1Ω），漏电流小（0.5uA以下）

噪声能力弱，关断电流变化器件和ROM，RAM存储型器：芯片Vcc和GND间加去耦电容

去耦电容引线不能过长，高频旁路电容不能带引线