LDO常问问题

1.型号

TPS79501

TPS79301

2.PSRR值，频率

TPS795_50dB，10kHz

TPS793_70dB，10kHz

电源抑制比：供电电压纹波对输出电压影响，值越高越好（某个频段的AC从输入到输出的衰减程度，衰减越高，每分贝的PSRR值越高）

1kHz～100kHz内对输入电压纹波抑制能力

PSRR=20log（输入纹波 / 输出纹波）

如PSRR=45dB，供电纹波=±50mV，输出纹波=X uV

45=20log（50 / X）--->

2.25=log（50 / X）--->

50 / X=10^2.25≈178（衰减系数）--->

X=50 / 178≈0.281=281uF

输入端±50mV纹波在输出端被压缩至±281uV

 纹波频率--->衰减程度

1M处于常用开关频率范围中间

PSRR=45dB条件：

输出电流=150mA

压差（Vin-Vout）=1V

Cout=1uF

影响因素：

频率

频率↑--->PSRR↓（某个频段翘起因为Cout影响）

Cout

不同值影响改善频点

 输出电流

输出电流↑--->PSRR↓

 电压余量（Vin-Vout）

电路内部消耗掉的电压降，CMOS本身工艺问题，无法避免

 差值↑--->PSRR↑（越好）

影响因素变量：

 

 

 降噪电容CNR：过滤内部电压基准产生的噪声并降低LDO启动或使能期间的转换率

与内部电阻形成的RC，滤除电压基准噪声，电压基准是生成低频噪声主要因素，增大电容值将此低通滤波器的截止频率左移

引入RC延迟，输出电压慢速率斜升，有利于输出端或负载存在大容量电容且要减小浪涌电流

输出电容或转换率↓--->浪涌电流↓（使用CNR可降低转换率）

 CNR值↑--->启动时间↑--->浪涌电流尖峰出现--->电流现在（降噪电容↑--->噪声↓）

前馈电容CFF： 改善噪声性能、稳定性、负载响应和电源抑制比 (PSRR)，给高频噪声提供低阻抗路径，更快传递到控制回路加以调整

噪声来自内部基准电压，误差放大器，MOS管，电阻分压器

改善噪声：

使用电阻分压网络提高基准电压增益，相应的驱动FET栅极，误差放大器带宽，基准电压交流信号莫些频段也会放大

与顶部电阻并联放置电容，为特定频率范围引入分流功能，将该频率范围内的交流元件保持在单位增益范围内，其中 R1 模拟短路(该频率范围将由所使用的电容器的阻抗特性确定)

 改善稳定性和瞬态响应：

 CFF 在 LDO 反馈回路中引入零点 (ZFF) 和极点 (PFF)

 将零点置于出现单位增益的频率之前可以提高相位裕度

 没有ZFF，单位增益提前200kHz左右出现，增加零点后，单位增益右移（约300kHz），相位裕度提高，PFF在单位增益频率右侧，对相位裕度影响微乎其微

增加相位裕度在LDO改善负载瞬态响应中明显，输出减少振铃并更快稳定

根据零点和极点位置，可以从策略上缩减增益衰减幅度，上图显示从 100kHz 开始零点对增益衰减的影响

提高PSRR：

增大频段增益，能改善该频段的环路响应，使该特定频率范围的 PSRR 提高

增大 CFF 电容会使零点左移，在较低频率范围内改善环路响应和相应的 PSRR

CNR 和 CFF 对噪声的影响程度：

当频率增加时，环路增益因为LDO的带宽限制而降低，PSRR曲线随之上翘，更高的LDO负载电流将负荷极点推向上方，所以在高负荷条件下的单位增益频率也较高（此范例中，10mA负载时LDO单位增益频率为300KHz，300mA负载时1MHz）

在单位增益频率以上，LDO已经无法消除纹波，实现频率以上纹波的衰减，由LDO输出电容和它内部寄生电容实现

PSRR用2个频率表示，频段1从直流到控制环路单位增益频率，这时PSRR取决于稳压器开环增益，频段2在单位增益频率之上，PSR不受反馈环路影响，取决于输出电压及从输入到输出引脚任何泄漏路径，选择适合高值输出电容会改善后个频段PSRR，为获得最佳电源抑制性能，PCB设计时减小从输入到输出泄漏，要有鲁棒性（系统在不确定性的扰动下，具有保持某种性能不变的能力）接地性能

PSRR与输出功率有关，输出电流大--->PSRR差

较差40dB，普通60dB，好一点70dB以上

PSRR测量：

欧米克朗（Omicorn）公司环路分析仪和仪鼎注入器测试PSRR

3.与DCDC区别

LDO：

优：输出纹波小，负载响应快，输出电压稳定

劣：效率低，负载不能太大，输入输出电压差不能太大，使用小电流场合（几十毫安电流，大电流用LDO对电池极大负担）

SMPS：

优：效率高，输入电压范围较宽，输出功率大（几百毫安到几安培）

劣：负载响应差，纹波大，复杂度高，成本高

4.选型

Vin（min）

Vin（max）

Vout：可调或固定

Iout：负载电流*输入输出电压差=功耗

耗散功率：P=（Vin-Vout）*Iload    【消耗=（Vi-Vo）*Io】

最恶劣实际功耗=（Vin最大电压-Vout最小电压）*最大（负载）输出电流

最大允许功耗=（最大允许结温-最大环境温度）/ 结点到空气间热阻

Vinmax=3.3V，Voutmin=2.6325V，Iloadmax=40mA，最大允许结温=+125℃，最大环境温度=+55℃，典型双层FR4电解铜镀层PCB板上的5引脚SOT-23A封装器件，结点到空气间热阻为250℃/W

实际功耗=（3.3-2.6325）*0.04=0.0267W

最大允许功耗=（55-125）/ 250=0.28W

合理分配LDO实际功耗，不超过最大功耗，影响系统稳定性

计算出来的损耗大于最大允许功耗采用2个功率MOS并联，使1/2（计算出来的损耗）

一般选的MOS的最大允许功耗1～1.5W

 电流和电压降↑--->功耗↑，选择封装考虑这一因素

表面贴装类型功耗与封装类型，PCB布局，环境温度有关

最大功耗Pd=（最高结温Tjunction - 环境温度Tambient）/ 结点到环境之间的热阻θja

 实际功率耗散限制

最小电压差

保证Vout输出电压，电流情况下，Vin和Vout最小电压差

Vin≥Vout+压降电压

Vin低于：Vout=Vin-压降电压

决定压降因素：

由LDO结构决定

LDO输出电流在PMOS上的压降

 为调节所需输出电压，反馈回路控制DS电阻Rds，Vin逐渐接近Vout，误差放大器驱动GS电压Vgs负向增大，减小Rds，从而保持稳压

在特点的点，误差放大器输出将在接地端达到饱和状态，无法驱动Vgs进一步负向增大，Rds已达到其最小值，将此Rds值与输出电流Iout相乘，将得到压降电压

随着Vgs负向增大，能达到Rds值越低，通过提升输入电压，可使Vgs值负向增大，PMOS架构在较高的输出电压下具有较低压降

 

 反馈回路控制Rds，随着Vin接近Vout，误差放大器将增大Vgs以降低Rds，从而保持稳定

在特定的点，Vgs无法再升高，因为误差放大器输出在电源电压Vin下将达到饱和状态，达到此状态时，Rds处于最小值，将此值与输出电流Iout相乘，获得压降电压，也会产生问题，误差放大器输出在Vin处达到饱和状态，随着Vin接近Vout，Vgs也会降低，这有助于防止出现超低压降

偏置LDO：

NNOS LDO采用辅助电压轨（即偏置电压）

 此电压轨用作误差放大器正电源轨，并支持其输出一直摆动到高于Vin的偏置电压，这种配置能够使LDO保持较高Vgs，从而在低输出电压下达到超低压降，有时并未提供辅助电压轨，但仍然需要在较低输出电压下达到低压降，在这种情况下，可以用内部电荷泵代替偏置电压

 电荷泵提升Vin，以便误差放大器在缺少外部偏置电压电压轨的情况下仍可以生成更大的Vgs值

其他因素：

 压降不是静态值

下降：Vout=Iload*RDSon

负载电流↓--->压差↓--->效率↑

电源纹波抑制比

静态电流Iq：

指当外部负载电流为零时为LDO内部电流供电消耗的电流（包括基准电压源，误差放大器，输出分压器，过流过温检测等电路的工作电流）

静态电流由拓扑结构，输入电压和温度确定

Iq=Iin（空载时）

静态电流不随输入电压变化而变化，恒定不变

由IC内部的反馈控制和驱动电路所消耗的电流，小型电池工作应用

测量方法：对流过LDO接地引脚的电流测量

接地电流Ignd

指输入输出电流之差，包括静态电流，接地电流可最大程度提高效率

输出电流为0，称静态电流

Ignd=Iin-Iout

 关断电流

指输出禁用时LDO消耗的输入电流，关断模式下，参考电路和误差放大器不工作，温度↑--->关断电流↑

效率

 输入输出电压差↓--->效率↑

接地电流↓--->效率↑

直流负载调整率

是衡量负载变化时任保持输出电压的能力

负载调整率=[Voutmax-Voutmin] / Vout（标称）*100%

负载调整率↓--->稳压能力↑

 

直流输入电压调整率（线性调整率）

衡量LDO在输入电压变化时任保持输出电压的能力

线性调整率=[Vinmax-Vinmin] / Vout（标称）*100%

 线性调整率↓--->稳压能力↑

 

负载瞬态响应

负载电流阶跃变化时输出电压变化，它与输出电容值，电容等效电阻（ESR），LDO环路增益带宽，负载电流变化的大小和速率有关

如果负载变化率非常缓慢，LDO控制环路会跟踪到该变化做出补偿响应，负载响应很快环路来不及补偿，会出现异常如低相位裕量导致振铃

 输入电压瞬态响应

指输入电压阶跃变化时输出电压的变化，与控制环路增益带宽，输入电压变化大小和速率有关，输入电压变化速率对输入瞬态响应有较大影响，当输入电压缓慢变化（在LDO带宽内只出现一个凹槽时，可隐藏振铃或其他异常行为）

5.Layout

 6.DCDC效率比LDO高原因

工作原理不同

LDO：通过调节内部的大功率MOS管的栅电位，来达到输出温度的电压，当输出电压大于输入电压很多时，效率非常低

DC/DC：通过电感给电容充放电，来实现输出电压稳定，效率相对LDO会更高

隔离DCDC转换效率80%，非隔离90%（最好90%，普遍83～88%之间）

如12V输入，5V输出下10mA的效率，要80%以上

LDO效率与输入输出电压，静态电流有关（效率最高70%左右）

效率=（Vo*Io）/ [（Io+Iq）*Vin]*100%

（Vo*Io）/ （Io+Iq）*Vin

压降和静态电流小--->效率高

如输入3.6～4.5V，输出电流80mA～100mA，最大静态电流17uA，输出3.3V，最低效率多少

效率=[100mA*3.3V / （100mA+17uA）*4.5V]*100%=73.3%

7.DCDC纹波比LDO大

DCDC：靠内部MOS管或三极管不断的开关来升压和降压，必然产生纹波

LDO：内部MOS管工作在线性放大区，而没有开或关的动作，且输出端采用负反馈回路，来调节并实现输出电压稳定性，输出纹波可以做的非常小

LDO能减少差模纹波，对共模纹波无能为力

8.原理

 导通组件由误差放大器控制，误差放大器监视反馈的状态，与内部固定的参考电压进行比较，然后会开启或限制导通组件（输入电压产生变动仍能维持恒定输出电压，以及提供负载所需输出电流）

9.测试

测试PSRR和Output Noise，测试仪器很复杂昂贵（还需要配套的测试软件程序）

压差：

正常输入电压，一定负载电流下，电子负载在10mA～1A变化，不断降低输入电压，直到输出电压等于或接近98%输出电压时，记录输入电压，压差=输入电压-98%输出电压，不断改变负载电流，可得到不同输出电流时压差