★MOS管

2N7002BK

VDS：Max：60V

VGS：Max：20V

ID：Max：350mA

RDSON：Max：1.6Ω

IDM：峰值漏极电流

Ptot：总功耗

IS：源极电流

 

1.选型

电压值：Vds，Vgs，Vgs（th），Vgs（on）

电流值：ID（能流过多大电流），实际开关电流小于ID额定值一半，通常在1/3～1/4

Rds（on）：导通电阻

其他：

开关时间：开启/关断延时，上升/下降时间

栅极电荷Q g：Qg设备完全打开所需电量（输入电容充电到VGS（on））

输入电容C iss：Ciss=Cgs+Cgd

其他寄生电容：输出/反馈电容

如DCDC，3.6V升20V，MOS选型

Vds>Vin（max），一般按两倍以上选择（耐压Vds> 输入电压*2）

Rds≤ 手册中的值（50mΩ）

漏极电流Id>Iout（max）

输入电容或反馈电容小

输出电流最大值30A

过流：保护动作阀值11A，恢复点10A

2.损耗

开关损耗--->使用软开关技术；输入/反馈电容小，阈值电压Vgs（th）低

传导损耗--->选择RDS（on）小

驱动损耗--->选择Qg小

开通--->导通--->关断--->截止

驱动过程：驱动源对MOS输入电容Cgs充放电

Cgs达到门槛电压后，MOS进入开通状态

MOS开通后，Vds开始下降，直到米勒电容充满电，Vgs又上升到驱动电压值，此时MOS进入电阻区，此时Vds彻底降下来，开通结束

3.驱动

直接驱动，图腾柱驱动，加速关断时间

直接驱动：

   

NMOS导通条件：Vgs高于4V，5V的PWM波刚好满足（3.3V低压单片机无法完全打开NMOS）

图腾柱驱动（推挽输出）：

共射极放大电路，放大MOS管门极的驱动电流，不能放大电压

单片机直接驱动MOS管的门极时，电流不够，开关速度过慢，MOS管发热时，可以增加驱动电流，实现更快速度的MOS管的开关

加速关断时间：

低阻抗通路供栅源极间电容电压快速泄放，D1减小关断时间和损耗，Rg2防电流过大，烧毁IC

防反

 NMOS接负极：

正接：体二极管导通，Vg=Vin，DS导通

反接：体二极管反接，Vg=0，断开

PMOS接正极

热阻

热量在物体上传输时，2端温度差与热源功率比值，单位℃/W或K/W

ThetaJA = (Tj - Ta）/ P

ThetaJB = (Tj - Tb）/ P

ThetaJC = (Tj - Tc）/ P

ThetaJA：结到空气环境热阻；ThetaJB ：结到PCB热阻；ThetaJC：结到封装外壳热阻（封装顶部热阻）

Tj：芯片结温

Ta：芯片环境温度

 结面到环境热阻833℃/W，器件消耗功率1W，温升是833℃

nmos最大功率150mW，结到空气温度：150/1000*833≈125℃，芯片结温是125+25=150℃

 

 设备总功耗=（最高结温-最高外壳温度）/（结到外壳热阻+外壳到散热器热阻+散热器到空气热阻）

降低结温：

减少器件热阻

散热机构

器件与散热机构间热阻

控制输入功率

降低环境温度

低边

 0输出12V

5V输出0V